检索结果-南通市图书馆

光电子技术 2022年第2期42卷 129-132页

作者：张华超葛翔熊启龙合肥清溢光电有限公司合肥230011

对大尺寸(520 mm×800 mm及以上)掩膜版生产过程中的连续喷雾影喷液方式和狭缝液帘影喷液方式进行对比分析,通过实验及生产过程的监控,得出了两种显影喷液方式的优缺点。综合对比得出,在掩膜版的生产过程中,选择狭缝液帘显影喷液方式最佳。

关键词：大尺寸掩膜版显影工艺显影喷嘴狭缝液帘均匀性

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0.18μm光刻制程中显影工艺的优化

0.18μm光刻制程中显影工艺的优化

作者：吴敏上海交通大学

学位级别：硕士

集成电路的发明和应用，是人类20世纪最重要的科技进步之一。随着集成电路工艺关键尺寸(CD)的大小不断递减，作为集成电路制造工艺中关键的光刻技术更是面临着巨大的挑战。这不仅是技术节点跨越的难题，更是需要新工艺平台的生产设备的... 详细信息

集成电路的发明和应用，是人类20世纪最重要的科技进步之一。随着集成电路工艺关键尺寸(CD)的大小不断递减，作为集成电路制造工艺中关键的光刻技术更是面临着巨大的挑战。这不仅是技术节点跨越的难题，更是需要新工艺平台的生产设备的更新和工艺优化，以满足半导体性能和可靠性的提高。0.18μm光刻制程中，针对显影的工艺技术一直在优化中。本论文就是基于目前已有的工艺技术条件，来进一步探讨显影工艺的优化。0.18μm光刻制程对CD的精确度要求已经很高，允许误差只有0.014μm。本论文通过实验分析显影工艺对CD的影响，研究了影响CD的因素——显影腔的exhaust(排气)、PEB温度、显影液的流量及显影后烘烤温度。从实验中找到了使CD的表现达到最佳的显影工艺。在0.18μm工艺实际生产中我们发现，显影过程带来的缺陷在整个光刻制程中是最多的。主要的几种显影缺陷有表面粒子，光刻胶残留和反应物残留。经过后道的刻蚀工艺，这些缺陷就会转移到实际的电路上，从而影响产品的良率或可靠性。本论文主要围绕这几种显影缺陷，设计实验，分析研究缺陷的形成机理，探讨减少缺陷、提高良率的最优工艺方法。在生产中发现了两种新型缺陷——凹陷缺陷与微残留，本论文从实际出发，研究了这两种缺陷的成因，找到了解决方案。显影程式决定显影的工艺生产流程。本论文通过实验研究了显影程式对产品的影响，分析了显影液涂布程式、去离子水喷洒程式与PEB程式，找到了最佳的显影程式，优化了0.18μm显影工艺。

关键词：光刻显影工艺关键尺寸缺陷优化

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显影工艺及显影喷嘴的应用

中国高新科技 2018年第20期 21-23页

作者：郭聪张怀东沈阳芯源微电子设备有限公司辽宁沈阳110168

集成电路(IntegratedCircuit,IC)的发明与应用是人类科技发展的重要进程之一。随着半导体科技的进步、工艺的提高,对半导体设备的要求也随之提高。作为IC应用大国,我国正以前所未有的力度发展IC产业,为有自己的"中国芯"而大力发展国产... 详细信息

集成电路(IntegratedCircuit,IC)的发明与应用是人类科技发展的重要进程之一。随着半导体科技的进步、工艺的提高,对半导体设备的要求也随之提高。作为IC应用大国,我国正以前所未有的力度发展IC产业,为有自己的"中国芯"而大力发展国产半导体设备替代国外设备,而关键工艺中的关键技术更是需要通过沉淀积累来厚积薄发。文章对显影工艺及显影喷嘴的应用进行介绍。

关键词：光刻工艺显影工艺显影喷嘴喷洒方式

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半导体制造领域显影工艺及显影喷嘴的发展

机械工程与自动化 2017年第5期 219-221,223页

作者：刘学平朱珂清华大学深圳研究生院先进制造学部广东深圳518055

论述了显影工艺的发展及国内外对显影工艺的研究,指出了其存在的缺陷及技术发展难点,并对显影工艺中的重要部件显影喷嘴的发展过程进行了论述,介绍了各种显影喷嘴的工艺过程及结构功能,基于工艺要求分析了它们各自的优缺点以及可能产生... 详细信息

论述了显影工艺的发展及国内外对显影工艺的研究,指出了其存在的缺陷及技术发展难点,并对显影工艺中的重要部件显影喷嘴的发展过程进行了论述,介绍了各种显影喷嘴的工艺过程及结构功能,基于工艺要求分析了它们各自的优缺点以及可能产生的显影缺陷。从实际生产出发,针对显影工艺技术发展的客观趋势,指出了显影喷嘴的改进目标及未来发展方向。

关键词：显影工艺显影喷嘴均匀性低冲击

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关于TFT-LCD技术显影工艺的探究

电子元器件与信息技术 2021年第10期5卷 86-87页

作者：王立夫盛大德北京京东方显示技术有限公司

随着显示技术的不断发展,TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)液晶显示技术取得了重大关键技术的突破,已进入快速成长时期。本文通过对显影工艺设备的机理分析,以及显影条件的关键参数剖析,得... 详细信息

随着显示技术的不断发展,TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)液晶显示技术取得了重大关键技术的突破,已进入快速成长时期。本文通过对显影工艺设备的机理分析,以及显影条件的关键参数剖析,得出显影条件与产品结构的对应关系,通过本次探究,对TFT-LCD显影工艺有了更加深入的了解,对生产制造提供了有力帮助。

关键词： TFT-LCD 显影工艺生产制造

热盘排风结构对非感光聚酰亚胺胶膜制备工艺的影响

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信息记录材料 2024年第5期25卷 24-26页

作者：齐鹏孙鹏姜倍鸿王颢然邢栗沈阳芯源微电子设备股份有限公司辽宁沈阳110168

本文研究了中心和环抱型两种排风结构热盘对一种非感光聚酰亚胺(polyimide,PI)胶膜制备工艺的影响。结果表明:经中心排风热盘烘烤后的聚酰亚胺胶膜中,光阻溶剂N-甲基吡咯烷酮(n-methyl pyrrolidone,NMP)在气流的作用下汇聚至晶片中心,... 详细信息

本文研究了中心和环抱型两种排风结构热盘对一种非感光聚酰亚胺(polyimide,PI)胶膜制备工艺的影响。结果表明:经中心排风热盘烘烤后的聚酰亚胺胶膜中,光阻溶剂N-甲基吡咯烷酮(n-methyl pyrrolidone,NMP)在气流的作用下汇聚至晶片中心,导致中心溶剂含量分布较高是造成后期过显影问题的主要原因;而环抱式排风热盘内部气流更加流畅均匀,溶剂NMP可有效置换,中心溶剂含量分布较高现象消失可显著改善聚酰亚胺光阻涂覆工艺中因溶剂含量分布不均而导致的显影问题。

关键词：涂胶显影聚酰亚胺热盘结构溶剂含量显影工艺膜层厚度

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消除TrenchMOS表面静电的光刻工艺改进

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消除TrenchMOS表面静电的光刻工艺改进

作者：单忠飞上海交通大学

学位级别：硕士

在多种多样的功率器件中,Trench MOSFET(一种新型垂直结构器件)是一种拥有低导通电阻、低栅漏电荷密度、以及低开关损耗的高速开关元器件。而拥有特殊工艺结构的某Trench MOS产品A通过增大gate导线面积,进一步减小导通电阻、降低开关功... 详细信息

在多种多样的功率器件中,Trench MOSFET(一种新型垂直结构器件)是一种拥有低导通电阻、低栅漏电荷密度、以及低开关损耗的高速开关元器件。而拥有特殊工艺结构的某Trench MOS产品A通过增大gate导线面积,进一步减小导通电阻、降低开关功耗并提高开关速度。但常规的半导体工艺不能满足该新型Trench MOS产品A的目标良率,阻碍了其广泛应用。本项目针对该产品的低良率(low yield)问题进行光刻工艺的改进来提高它的良率。通过一系列实验,对某Trench MOS产品A工艺产生low yield的机理进行分析,特别对影响光刻显影工艺的参数进行分析。通过合理设计实验来验证减少显影工艺超纯水的喷吐时间可以提高良率,并评估了其对显影工艺的影响,得出采用此工艺的可行性论证。然后将显影工艺中减少超纯水喷吐时间的技术运用到实际生产当中,通过大规模生产得出的生产结果数据来评估这一工艺改进的效果。研究结果表明,这种方法可以消除P阱光刻工艺中显影后积累在晶圆表面的静电电荷,减少其对P阱离子注入均匀性的影响,消除阈值电压VTH漂移,提高良率到目标值,此外这种方法还可以提高产品的通量(throughput)。

关键词： Trench MOSFET 光刻工艺静电电荷良率显影工艺超纯水阈值电压漂移

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显影系统供液设计研究

电子工业专用设备 2019年第6期48卷 40-44页

作者：郑如意许南发吕磊刘玉倩中国电子科技集团公司第四十五研究所北京100176 山东元旭光电股份有限公司山东潍坊261061

显影是半导体制造过程中的一道很重要的工艺环节,不同工艺使用的显影液不同。为实现多种显影液自动切换,并避免人工更换显影液造成的污染与浪费,且能够有效提高生产效率,设计了一种新型的显影供液系统,可自动切换两种不同浓度同种化学... 详细信息

显影是半导体制造过程中的一道很重要的工艺环节,不同工艺使用的显影液不同。为实现多种显影液自动切换,并避免人工更换显影液造成的污染与浪费,且能够有效提高生产效率,设计了一种新型的显影供液系统,可自动切换两种不同浓度同种化学成分和不同化学成分共三种显影液,方便显影液供给,减少人工操作,避免人工换液造成的污染和浪费,能够更好地满足多种显影液频繁更换的需要。

关键词：显影工艺供液系统自动切换