检索结果-南通市图书馆

还原时间对AlO_x/WO_x RRAM开关速度的调制作用

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半导体技术 2017年第9期42卷 650-655,668页

作者：徐娟傅雅蓉林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

基于128 kbit AlO_x/WO_x双层结构阻变存储器(RRAM)芯片,提出并验证了还原时间对RRAM开关速度的调制作用,同时设计了一种固定电压幅值逐步增大脉宽的算法用于RRAM阵列中速度的测试。还原处理的时间越长,AlO_x层的厚度越薄,同时氧空位的... 详细信息

基于128 kbit AlO_x/WO_x双层结构阻变存储器(RRAM)芯片,提出并验证了还原时间对RRAM开关速度的调制作用,同时设计了一种固定电压幅值逐步增大脉宽的算法用于RRAM阵列中速度的测试。还原处理的时间越长,AlO_x层的厚度越薄,同时氧空位的含量增多,可加快导电细丝的形成、断裂和重新连接,进而提升芯片的开关速度。测试结果表明,还原时间由10 min增加至30 min,在4 V和4.5 V操作电压下,FORMING速度分布的均值分别由200 ns减小至120 ns和由100 ns减小至60 ns;在4 V和4.5 V操作电压下,RESET速度分布的均值分别由160 ns减小至120 ns和由120 ns减小至100 ns;SET速度分布的均值在4 V电压下可由120 ns减小至80 ns。此外,还原时间的增长可以改善速度分布的一致性,减小速度的波动。

关键词：阻变存储器开关速度还原时间速度波动速度测试算法

负载大小对SiC MOSFET开关速度的影响

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电力电子技术 2023年第10期57卷 133-136页

作者：刘勇肖岚伍群芳刘琦南京航空航天大学自动化学院江苏南京211106

现有研究多关注驱动电阻、驱动电压、寄生参数等对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关特性的影响,鲜有文献研究负载大小的影响。针对负载大小影响SiC MOSFET开关速度这一现象,建立开关过程模型,结合其转移特性分析此... 详细信息

现有研究多关注驱动电阻、驱动电压、寄生参数等对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关特性的影响,鲜有文献研究负载大小的影响。针对负载大小影响SiC MOSFET开关速度这一现象,建立开关过程模型,结合其转移特性分析此现象产生的原因,仿真和理论分析表明,SiC MOSFET的开通速度随负载增大而降低,关断速度随负载增大而增加。使用SiC功率模块进行双脉冲测试,结果验证了理论分析的正确性。

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管开关速度双脉冲测试

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离子源抑制极电源开关速度优化设计

核技术 2019年第9期42卷 30-36页

作者：潘军军刘智民蒋才超刘胜中国科学院等离子体物理研究所合肥230031 中国科学技术大学合肥230026

抑制极电源是东方超环(Experimental Advanced Superconducting Tokomak,EAST)中性束注入(Neutral Beam Injection,NBI)束加速系统电源的重要组成部分,其输出端采用以多管串联的绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为开关。IGBT开关的性能不仅关系到电源可靠性,也直接影响引出时离子束的光学特性。为满足高压引出电源与抑制极电源上升下降沿匹配的要求,提出了以电容反馈电路来控制IGBT开关速度的方案,采用Pspice软件对IGBT电容反馈进行建模,并进行了不同参数下的仿真,最后搭建了实验测试平台对方案进行了测试。测试结果表明:反馈电阻和反馈电容的大小对反馈电路效果的影响相反,当栅极电阻和反馈电阻取较大值,而反馈电容取较小值,通过调节反馈电阻的大小可以实现较大范围调节IGBT开通速度而又对关断速度影响较小。该优化方案可以达到抑制极电源IGBT开关性能的预期指标,且具有较高的可靠性。

关键词：抑制极电源绝缘栅双极型晶体管 Pspice 电容反馈开关速度

结合CSP640SS型MOSFET分析影响增强型功率MOSFET开关速度的主要因素

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电子测试 2020年第14期31卷 43-44,35页

作者：代骞任真伟吴双彪吕前进中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) 贵州贵阳550018

与双极型晶体管相比,MOSFET器件更节能、更易于驱动,但在实际应用中,常常发现MOSFET器件的开关速度与数据手册上给出的参数差异很大,导致电路工作异常,甚至出现MOSFET器件损坏的现象。因此,本文结合CSP640SS型MOSFET对影响增强型功率MOS... 详细信息

与双极型晶体管相比,MOSFET器件更节能、更易于驱动,但在实际应用中,常常发现MOSFET器件的开关速度与数据手册上给出的参数差异很大,导致电路工作异常,甚至出现MOSFET器件损坏的现象。因此,本文结合CSP640SS型MOSFET对影响增强型功率MOSFET器件开关速度的主要因数进行分析,并提出解决方法。

关键词： MOSFET 结电容 I_G电流开通过程关断过程开关速度米勒效应

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高压输水系统泵后液控缓闭阀开关速度探讨

水利建设与管理 2019年第11期39卷 22-25页

作者：谭艳芳辽宁西北供水有限责任公司

液控缓闭阀是密闭输水系统中设置在泵后的一种常用的水力部件。合理有效地设置液控缓闭阀的开关时限,是防止水锤的关键。本文通过理论计算和基于工程实例的水力过渡分析后认为,设置加压泵后液控缓闭阀的开关速度须综合考虑管线内水击压... 详细信息

液控缓闭阀是密闭输水系统中设置在泵后的一种常用的水力部件。合理有效地设置液控缓闭阀的开关时限,是防止水锤的关键。本文通过理论计算和基于工程实例的水力过渡分析后认为,设置加压泵后液控缓闭阀的开关速度须综合考虑管线内水击压力的最大升值、泵组的加压水平、供水流量、管线工艺参数等诸多因素,并据此对其开关时间的设置进行了线性化处理,该研究结论可供类似工程设计参考。

关键词：有压输水液控缓闭阀开关速度

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PIN开关速度仿真

现代电子技术 2011年第2期34卷 130-132页

作者：夏立成吴国安余力强华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉430074

高速PIN开关在通信、雷达和电子对抗系统中有着广泛的应用,然而在设计PIN开关电路时却不能通过仿真准确地得出其开关速度。提出一种新的PIN管开关速度的仿真方法,根据PIN二极管开关导通与关断时刻内部各个PIN管的状态作为判定依据,可以... 详细信息

高速PIN开关在通信、雷达和电子对抗系统中有着广泛的应用,然而在设计PIN开关电路时却不能通过仿真准确地得出其开关速度。提出一种新的PIN管开关速度的仿真方法,根据PIN二极管开关导通与关断时刻内部各个PIN管的状态作为判定依据,可以准确仿真计算开关的导通与截止时间。采用Strllo提出的PIN管瞬态模型进行仿真,计算结果与实际测试结果相符。该方法可准确地仿真PIN开关速度,也可以用于其他半导体控制电路的开关时间仿真。

关键词： PIN二极管开关速度模型仿真 Strllo

抑制SiC MOSFET桥臂串扰与栅源电压振荡的推挽式电容辅助电路分析及参数设计方法

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高电压技术 2023年第1期49卷 226-237页

作者：李小强林铭恩王文杰吴富强贺生鹏中国矿业大学电气工程学院徐州221116 国网江苏省电力有限公司连云港供电分公司连云港222000 杭州茂力半导体技术有限公司杭州310012

碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, SiC MOSFET)在高速开关中引起的桥臂串扰和栅极电压振荡严重制约了其开关速度。针对已提出的基于推挽式电容辅助电路(push-pull-capacito... 详细信息

碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, SiC MOSFET)在高速开关中引起的桥臂串扰和栅极电压振荡严重制约了其开关速度。针对已提出的基于推挽式电容辅助电路(push-pull-capacitor auxiliary circuit, PPCAC)的SiC MOSFET驱动工作过程进行了进一步的分析。结合分析,将SiC MOSFET桥臂串扰以及漏源电压振荡引起的栅源电压振荡2个问题归一化,通过推挽电容充放电时刻以及桥臂串扰约束,提出了一种推挽电容参数设计方法。通过该设计方法,可使得PPCAC在抑制SiC MOSFET桥臂串扰与栅源电压振荡的基础上,改善其开通关断速度。实验结果验证了所提出设计的有效性。

关键词： SiC MOSFET 桥臂串扰栅源电压振荡推挽式电容辅助电路开关速度

基于TurboFET技术的MOSFET，开关损耗更低、开关速度更快

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今日电子 2009年第1期 111-112页

这些器件采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低了45％，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度，导通电阻与栅极电荷乘积FOM在4．5V和10V时分别低至76．6mΩ·nC和117．60mΩ·nC。

关键词：开关损耗 MOSFET 开关速度技术栅极电荷切换速度电荷平衡导通电阻

维普期刊数据库评论

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提高RF MEMS开关速度的电压控制方法

微纳电子技术 2012年第1期49卷 39-44,55页

作者：邓成鲍景富凌源杜亦佳赵兴海郑英彬电子科技大学电子工程学院成都611731 中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621900

针对RF MEMS开关释放时间过长的问题,提出了一种电压控制方法有效地缩短了开关的释放时间,提高了开关的速度。这种方法无需修改器件设计,仅需要调整偏置电压变化形式,用线性压降替代传统的阶跃压降,就能有效抑制MEMS梁在释放过程中的振... 详细信息

针对RF MEMS开关释放时间过长的问题,提出了一种电压控制方法有效地缩短了开关的释放时间,提高了开关的速度。这种方法无需修改器件设计,仅需要调整偏置电压变化形式,用线性压降替代传统的阶跃压降,就能有效抑制MEMS梁在释放过程中的振动。给出了这种方法的相关理论、等效模型及仿真结果。由ANSYS仿真结果可知,在标准大气压下,采用28μs单段线性压降后,梁的释放时间从103μs缩短到62.5μs;采用26μs双段线性压降后,梁的释放时间进一步缩短到26μs,仅为原来的1/4,即开关速度约为原来的4倍。

关键词： RF MEMS开关释放时间开关速度梁振动偏置电压