基于TurboFET技术的MOSFET，开关损耗更低、开关速度更快
出 版 物：《今日电子》 (Electronic Products)
年 卷 期：2009年第1期
页 面：111-112页
学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
主 题：开关损耗 MOSFET 开关速度 技术 栅极电荷 切换速度 电荷平衡 导通电阻
摘 要：这些器件采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低了45％，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度，导通电阻与栅极电荷乘积FOM在4．5V和10V时分别低至76．6mΩ·nC和117．60mΩ·nC。
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