结合CSP640SS型MOSFET分析影响增强型功率MOSFET开关速度的主要因素
Combine with CSP640SS MOSFET to analyze the main factors affecting the switching speed of enhanced power MOSFET作者机构：中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)贵州贵阳550018
出 版 物：《电子测试》 (Electronic Test)
年 卷 期：2020年第31卷第14期
页 面：43-44,35页
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
主 题：MOSFET 结电容 I_G电流 开通过程 关断过程 开关速度 米勒效应
摘 要：与双极型晶体管相比,MOSFET器件更节能、更易于驱动,但在实际应用中,常常发现MOSFET器件的开关速度与数据手册上给出的参数差异很大,导致电路工作异常,甚至出现MOSFET器件损坏的现象。因此,本文结合CSP640SS型MOSFET对影响增强型功率MOSFET器件开关速度的主要因数进行分析,并提出解决方法。
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