提高RF MEMS开关速度的电压控制方法

作     者：邓成 鲍景富 凌源 杜亦佳 赵兴海 郑英彬 Deng Cheng;Bao Jingfu;Ling Yuan;Du Yijia;Zhao Xinghai;Zheng Yingbin

作者机构：电子科技大学电子工程学院成都611731 中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621900 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2012年第49卷第1期

页      面：39-44,55页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0804[工学-仪器科学与技术] 

基　　金：国家自然科学基金委员会和中国工程物理研究院联合基金资助项目(11176006) 国家部委基金项目(9140A23070311DZ0210) 中国工程物理研究院科学技术发展基金资助项目(2008A0403016) 

主　　题：RF MEMS开关 释放时间 开关速度 梁振动 偏置电压 

摘      要：针对RF MEMS开关释放时间过长的问题,提出了一种电压控制方法有效地缩短了开关的释放时间,提高了开关的速度。这种方法无需修改器件设计,仅需要调整偏置电压变化形式,用线性压降替代传统的阶跃压降,就能有效抑制MEMS梁在释放过程中的振动。给出了这种方法的相关理论、等效模型及仿真结果。由ANSYS仿真结果可知,在标准大气压下,采用28μs单段线性压降后,梁的释放时间从103μs缩短到62.5μs;采用26μs双段线性压降后,梁的释放时间进一步缩短到26μs,仅为原来的1/4,即开关速度约为原来的4倍。