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双层多晶硅VLSI器件在低温下不同的氧化方法

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微处理机 1980年第3期 125-136页

作者： JohnJ Barhe Janet M DeBIaSI 李伟

本文叙述了双层多晶硅 VLSI 器件的不同氧化比率,及在750—900℃温度范围内重掺杂多晶硅的干 O2氧化特性。这些不同的效应在800℃左右温度下为最佳,这与在较高温度下控制速率的扩散反应相反,它的氧化过程主要受表面反应的控制。在800℃... 详细信息

本文叙述了双层多晶硅 VLSI 器件的不同氧化比率,及在750—900℃温度范围内重掺杂多晶硅的干 O2氧化特性。这些不同的效应在800℃左右温度下为最佳,这与在较高温度下控制速率的扩散反应相反,它的氧化过程主要受表面反应的控制。在800℃下,干 O2中氧化28小时（100）p—型单晶硅上形成505厚的氧化层,而在950℃下,预淀积POCL334分钟后,n—型多晶硅上则生产2020的氧化层。证明氧化时间较长就会减小不同的氧化比率。为产生与 POCL3掺杂多晶硅一样大的不同氧化效应,在50Kev 下用 As 离子注入,剂量为3.2×1016cm-2。为研究掺杂范围,把线性速率常数增加到55倍,而抛物线速率常数增加不到4倍。

关键词：多晶硅膜氧化时间厚度单晶硅重掺杂氧化层表面层速率常数 VLSI 器件

硅中深能级杂质的测定与多晶硅薄膜吸杂效果的观察

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河北工学院学报 1985年第3期 72-80页

作者：孙以材党冀萍王志锦电子工业部13所石家庄无线电二厂研究生河北工学院80级毕业生

用深能级瞬态谱（DLTS）法测定了有意在硅中掺入的过渡金属的主要深能级位置,发现一个与铁有关的缺陷能级(E?-0.31ev)。并观察了在硅单晶上外延生长多晶硅薄膜的吸杂效果,发现对锰和镉的吸杂效果很好。

关键词：吸杂多晶硅膜深能级杂质多晶硅薄膜 DLTS 简并态能级

LPCVD工艺—用20%、50%浓度的硅烷淀积多晶硅的工艺报告

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半导体技术 1986年第1期 3-11页

作者：帧馨峨公安部1129研究所

很多年来,半导体工业上生产多晶硅、二氧化硅、氮化硅和无定型硅都是采用标准的常压冷壁化学汽相淀积技术.而在半导体器件工艺中,随着大规模集成电路的发展和超大规模集成电路的出现,对用常压CVD制备的半导体膜和绝缘膜的要求越来越高,... 详细信息

很多年来,半导体工业上生产多晶硅、二氧化硅、氮化硅和无定型硅都是采用标准的常压冷壁化学汽相淀积技术.而在半导体器件工艺中,随着大规模集成电路的发展和超大规模集成电路的出现,对用常压CVD制备的半导体膜和绝缘膜的要求越来越高,原来的常压CVD技术淀积方法已经不能满足这种要求,人们开始研究新的技术来满足电路对工艺的要求.

关键词：多晶硅膜 LPCVD 淀积硅烷有机硅化合物电子衍射气体分子

MOS大规模集成电路的新工艺技术——掺氧多晶硅的局部氧化技术及其在MOSLSI中的应用

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微电子学 1978年第3期 21-32页

作者：山口忠则佐藤收一黄子伦

目前,随着大型计算机和微处理机市场的扩大,对 MOS 大规模集成电路的高集成度和高速化的要求也日益增强。为满足这些要求,从器件结构的观点来看,DMOS和 VMOS 器件的研制工作近来特别活跃起来。另外,从工艺设备方面看,还进行用电子束及 X... 详细信息

目前,随着大型计算机和微处理机市场的扩大,对 MOS 大规模集成电路的高集成度和高速化的要求也日益增强。为满足这些要求,从器件结构的观点来看,DMOS和 VMOS 器件的研制工作近来特别活跃起来。另外,从工艺设备方面看,还进行用电子束及 X 射线的掩模制备和图形曝光的研制工作。最近,对于各种直接驱动显示装置用的 MOSLSI,还强烈地提出了耐高压的要求。再则,作为 MOSLSI 的大的市场之一,还有实际应用于汽车工业的问题。MOSLSI 在汽车工业方面的应用,不

关键词：多晶硅膜氧化膜厚度 MOSLSI 大规模集成电路氧化技术

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低压化学汽相沉积多晶硅工艺

微电子学 1982年第6期 15-20页

作者：江泽福

本文介绍我所自制低压化学汽相沉积设备生长多晶硅工艺情况。通过实验摸索及流水线试片表明,LPCVD反应器生长多晶硅具有成本低、产量大、薄膜均匀及洁静度高等优点。此外,不用携带气体,工艺简单。我们采用20％的氦气稀释的硅烷,系统压力... 详细信息

本文介绍我所自制低压化学汽相沉积设备生长多晶硅工艺情况。通过实验摸索及流水线试片表明,LPCVD反应器生长多晶硅具有成本低、产量大、薄膜均匀及洁静度高等优点。此外,不用携带气体,工艺简单。我们采用20％的氦气稀释的硅烷,系统压力在0.5乇到1乇下进行淀积,淀积温度为580℃～680℃之间,硅烷流量在200～225cc/分。生长的多晶硅膜厚度为2000～8000,其淀积速率为30～280/分。根据电子扫描显微镜对晶粒的研究表明,晶粒比常压生长的晶粒要小些;晶粒大小随淀积温度增加而增加;同时方块电阻也随淀积温度增加而下降;随膜厚增加方块电阻减小。

关键词：多晶硅膜方块电阻厚度淀积淀积速率低压电压

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多晶硅工艺及其在双极集成电路中的应用

半导体技术 1982年第3期 42-47页

作者：陈中佛

一、引言随着集成电路向高集成度、高速度和低功耗的方向发展,人们研究和发展了适应这种要求的各种新工艺方法,多晶硅工艺就是其中之一。在七十年代初,MOS电路就开始使用了多晶硅自对准工艺,随后又在MOS存储器中发展了双层和三层多晶... 详细信息

一、引言随着集成电路向高集成度、高速度和低功耗的方向发展,人们研究和发展了适应这种要求的各种新工艺方法,多晶硅工艺就是其中之一。在七十年代初,MOS电路就开始使用了多晶硅自对准工艺,随后又在MOS存储器中发展了双层和三层多晶硅工艺,对提高电路的集成度和速度起了很大推动作用。近几年来,多晶

关键词：多晶硅膜双极集成电路发射极双极电路

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多晶硅/硅化钨结构的氧化现象

微电子学 1985年第3期 66-73页

作者： N.Hsieh L.Nesbit 郭树田

为了提高VLSI多晶硅工艺中所用多晶硅线条的导电率,目前正考虑用硅化物(如WSi、MoSi和TaSi)作为多晶硅线条上的覆盖层。多晶硅/硅化物结构的优点之一,估计可能是,它是一种可氧化的自钝化结构。在某些类似于FET多晶硅工艺所采用的那些氧... 详细信息

为了提高VLSI多晶硅工艺中所用多晶硅线条的导电率,目前正考虑用硅化物(如WSi、MoSi和TaSi)作为多晶硅线条上的覆盖层。多晶硅/硅化物结构的优点之一,估计可能是,它是一种可氧化的自钝化结构。在某些类似于FET多晶硅工艺所采用的那些氧化条件下,孔隙可能在多晶硅层中扩大,或缺乏结构完整性的不需要的氧化层可能在硅化物表面扩展。本文讨论了这些现象的氧化机理。

关键词：多晶硅膜难熔金属氧化特性硅化物氧化层表面层氧化现象

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汽相淀积多晶硅薄膜结构和性质的研究

南京大学学报(自然科学) 1979年第1期 67-80页

作者：陈坤基杜家方何宇亮

多晶硅薄膜的制备采用硅烷(SiH)热分解化学汽相淀积法。利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜和红外光谱仪等手段对膜的微结构进行了研究。我们发观膜的结构特性强烈地依赖于淀积条件,实验结果指出:假如在整个淀积过程的最初阶段采用“... 详细信息

多晶硅薄膜的制备采用硅烷(SiH)热分解化学汽相淀积法。利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜和红外光谱仪等手段对膜的微结构进行了研究。我们发观膜的结构特性强烈地依赖于淀积条件,实验结果指出:假如在整个淀积过程的最初阶段采用“低温成核”,就不难获得适合于硅栅MOS集成电路的优质多晶硅膜。当低温成核温度为650℃～700℃,并控制一定的淀积条件,所制得的膜是光亮和均匀的,其晶粒大小约为300～500埃。文中对“低温成核”的机理及多晶薄膜的生长模型也进行了讨论。此外,对多晶膜的光学、电学和介电等性质进行了测量,对多晶硅由于晶粒间界的存在而引起的一系利与单晶硅不同的性质进行了计算和分析,从而为器件设计提供某些有用的理论数据。

关键词：淀积多晶硅薄膜多晶硅膜晶核尺寸成核晶粒结构

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硅化钽/多晶硅双层膜结构中磷的外扩散

微电子学 1983年第6期 105-110页

作者： J.S.Maa ,C.W.Magee ,J.J.O′Neill ,罗梅卿

在硅化钽/掺磷硅双层膜中,硅的电阻率能随着高温退火过程急剧增长,其增长大小取决于硅膜的晶粒间界及退火气氛,与界面反应或界面扩散的程度以及和所用硅化物的类型无关。用二次离子质谱分析证实,硅中磷含量的减少是由于磷的外扩散所致。

关键词：外扩散界面反应淀积界面扩散多晶硅膜薄层电阻硅化物双层结构双层膜