多晶硅薄膜干氧氧化特性的研究
Study of the Oxidation Characteristics of Polycrystalline Silicon Films in Dry-O;Ambient作者机构：北京半导体器件研究所 北京大学微电子研究室
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))
年 卷 期：1985年第2期
页 面：150-158页
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：单晶硅 氧化层 氧化规律 磷掺杂 干氧氧化 热氧化 氧化特性 表面层 多晶硅膜 多晶硅薄膜
摘 要：本文在800—1200℃的温度范围内,对LPCVD生长的未掺杂和重磷掺杂的多晶硅薄膜进行了干氧氧化特性的系统研究,并与轻掺杂和重磷掺杂的单晶硅的热氧化规律进行了比较.发现在900℃以下时,未掺杂多晶硅氧化规律不能完全用Deal-Grove模型描述,并存在着一个快速氧化的特征阶段.在这个阶段中多晶硅氧化速率比单晶快,而重磷掺杂多晶硅却相反.掺杂、未掺杂,单晶、多晶间氧化规律的差异,在T=1200℃时,全部消失.本文讨论了产生上述现象的物理机理.
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