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多晶硅/硅化钨结构的氧化现象

出版物：《微电子学》 (Microelectronics)

年卷期：1985年第3期

页面：66-73页

摘要：为了提高VLSI多晶硅工艺中所用多晶硅线条的导电率,目前正考虑用硅化物(如WSi、MoSi和TaSi)作为多晶硅线条上的覆盖层。多晶硅/硅化物结构的优点之一,估计可能是,它是一种可氧化的自钝化结构。在某些类似于FET多晶硅工艺所采用的那些氧化条件下,孔隙可能在多晶硅层中扩大,或缺乏结构完整性的不需要的氧化层可能在硅化物表面扩展。本文讨论了这些现象的氧化机理。

本地馆藏 |

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