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VDMOS器件终端结构设计及优化

微处理机 2016年第3期37卷 25-27页

作者：郑莹吴会利中国电子科技集团公司第四十七研究所沈阳110032

击穿电压是VDMOS器件的重要参数之一,器件的耐压能力主要由终端结构的击穿电压决定,但结曲面效应和表面电荷的存在制约着击穿电压的提高。设计的这款400V VDMOS的场限环终端结构,改善了结曲面效应,但表面电场较大,在此基础上,充分利用... 详细信息

击穿电压是VDMOS器件的重要参数之一,器件的耐压能力主要由终端结构的击穿电压决定,但结曲面效应和表面电荷的存在制约着击穿电压的提高。设计的这款400V VDMOS的场限环终端结构,改善了结曲面效应,但表面电场较大,在此基础上,充分利用场板降低表面电场的作用,结合场限环构成场板-场限环终端结构,减少了场限环的数量,节省了16.67%的终端宽度,实现了440.6V的击穿电压。此外,没有增加额外的掩膜或工艺步骤,工艺兼容性好,易于实现。

关键词： VDMOS器件终端场限环场板击穿电压电场

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高压VDMOS结终端技术研究

机电元件 2023年第1期43卷 20-23页

作者：单长玲习毓丁文华西安卫光科技有限公司陕西西安710065

本文针对高压VDMOS器件的结终端技术进行研究。文中分析了场板、场限环、截止环、结终端扩展技术以及横向变掺杂的基本设计方式和提升器件耐压的机理,并设计了一款600V高压VDMOS的复合终端结构,经封测及可靠性验证,性能稳定。

关键词：场板场限环截止环结终端扩展横向变掺杂复合终端

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高压大功率VDMOSFET终端技术的研究

北京轻工业学院学报 1999年第1期17卷 54-58页

作者：陈岩北京轻工业学院自动化工程系

对实现ＶＤＭＯＳＦＥＴ高耐压水平的场限环结合场板的结终端技术进行了研究．分析了表面电荷密度对耐压水平和优化环间距的影响．

关键词：场限环电力电子器件 VDMOSFET 耐压水平终端

高压功率MOSFET结终端保护技术及其组合优化设计

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现代电子技术 2006年第11期29卷 71-74,78页

作者：陈利李开航郭东辉厦门大学

场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术,文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐压敏感参数,通过场板和场限环的互补组合来优化设计一款高耐压的VDMOS器件结构,最后采用ATHENA(工艺模拟... 详细信息

场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术,文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐压敏感参数,通过场板和场限环的互补组合来优化设计一款高耐压的VDMOS器件结构,最后采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟)工具来仿真验证优化设计的结果。

关键词：高压功率MOSFET 结终端保护场板场限环

高压功率FRED结终端保护技术及其组合优化设计

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电力电子 2010年第2期8卷 51-55页

作者：殷丽王传敏北京时代民芯科技有限公司北京微电子技术研究所

场板与场限环是用来提高功率FRED抗电压击穿能力的常用终端保护技术,本文分别介绍场板与场限环结终端结构原理和耐压敏感参数,然后采取场板和场限环的互补组合,通过Synopsis公司MEDICI4.0仿真工具优化设一款耐压1200V的FERD器件终端结构... 详细信息

场板与场限环是用来提高功率FRED抗电压击穿能力的常用终端保护技术,本文分别介绍场板与场限环结终端结构原理和耐压敏感参数,然后采取场板和场限环的互补组合,通过Synopsis公司MEDICI4.0仿真工具优化设一款耐压1200V的FERD器件终端结构,最后通过实际流片验证此终端结构具有良好的电压重复性及一致性。

关键词： FRED 结终端保护技术场板场限环

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10A/300V JBS整流管设计

电子科技 2018年第8期31卷 31-34页

作者：闫丽红王永顺刘缤璐兰州交通大学电子与信息工程学院甘肃兰州730070

在研究功率肖特基整流管的基础上,为提高反向击穿电压、漏电流、抗浪涌能力,采用加场限环的方法,设计并制造了10 A/300 V结势垒肖特基整流管(JBS)。从有源区参数、外延材料、流片工艺、产品电参数、可靠性等方面进行了全面设计。经测试... 详细信息

在研究功率肖特基整流管的基础上,为提高反向击穿电压、漏电流、抗浪涌能力,采用加场限环的方法,设计并制造了10 A/300 V结势垒肖特基整流管(JBS)。从有源区参数、外延材料、流片工艺、产品电参数、可靠性等方面进行了全面设计。经测试,电参数水平正向电压VF为0.85~0.856 V,反向电流IR为4~50.5μA,反向电压VR为307.5~465.2 V,抗静电水平从低温退火的6~12 kV提高到15 kV,经高温直流老化后,可靠性电参数水平满足预期的设计要求。

关键词：反向击穿电压场限环外延材料流片工艺

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一款800V VDMOS终端结构的设计

电子元件与材料 2015年第6期34卷 66-69页

作者：刘铭冯全源陈晓培庄圣贤西南交通大学微电子研究所四川成都611756

设计了一款800 V VDMOS终端结构,采用场限环(FLR)与场板(FP)相结合的方式,在场限环上添加多晶硅场板与金属场板,有效地降低了表面电场峰值。通过调整终端结构,在135μm的有效终端长度上实现了848 V的击穿电压,最大表面电场为2.34×105 V... 详细信息

设计了一款800 V VDMOS终端结构,采用场限环(FLR)与场板(FP)相结合的方式,在场限环上添加多晶硅场板与金属场板,有效地降低了表面电场峰值。通过调整终端结构,在135μm的有效终端长度上实现了848 V的击穿电压,最大表面电场为2.34×105 V/cm,小于工业界判断器件击穿场强标准(2.5×105 V/cm),且电场分布比较均匀,终端结构的稳定性和可靠性高。

关键词：终端结构场限环场板结深表面电场击穿电压

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高压P阱LDMOS的结构分析及其参数分析

集成电路应用 2003年第12期20卷 43-46页

作者：黄海涛王伟国上海贝岭股份有限公司技术发展部 200233

衡量HVIC工艺的一个重要的标准是其内的主要单元LDMOS的参数是否合乎工艺设计的要求。本文简略分析了700V P阱HVIC工艺中的LDMOS结构,并对LDMOS的参数略加分析。

关键词： HVIC LDMOS 场限环 RESURF 高压集成电路多晶保护环

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高压功率器件结终端结构设计

高压功率器件结终端结构设计