一款800V VDMOS终端结构的设计

作     者：刘铭 冯全源 陈晓培 庄圣贤 LIU Ming;FENG Quanyuan;CHEN Xiaopei;ZHUANG Shengxian

作者机构：西南交通大学微电子研究所四川成都611756 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2015年第34卷第6期

页      面：66-69页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.61271090) 四川省科技支撑计划项目资助(No.2015GZ0103) 

主　　题：终端结构 场限环 场板 结深 表面电场 击穿电压 

摘      要：设计了一款800 V VDMOS终端结构,采用场限环(FLR)与场板(FP)相结合的方式,在场限环上添加多晶硅场板与金属场板,有效地降低了表面电场峰值。通过调整终端结构,在135μm的有效终端长度上实现了848 V的击穿电压,最大表面电场为2.34×105 V/cm,小于工业界判断器件击穿场强标准(2.5×105 V/cm),且电场分布比较均匀,终端结构的稳定性和可靠性高。