高压功率MOSFET结终端保护技术及其组合优化设计
Optimized Design of Junction Termination Techniques and Combination for High-voltage Power MOSFET作者机构：厦门大学
出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)
年 卷 期：2006年第29卷第11期
页 面：71-74,78页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家火炬计划项目(205EB010933) 福建省自然科学基金项目(A0410007) 厦门市科技项目的联合资助
摘 要：场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术,文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐压敏感参数,通过场板和场限环的互补组合来优化设计一款高耐压的VDMOS器件结构,最后采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟)工具来仿真验证优化设计的结果。
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