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现代电子技术 2006年第11期29卷 71-74,78页

作者：陈利李开航郭东辉厦门大学

场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术,文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐压敏感参数,通过场板和场限环的互补组合来优化设计一款高耐压的VDMOS器件结构,最后采用ATHENA(工艺模拟... 详细信息

场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术,文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐压敏感参数,通过场板和场限环的互补组合来优化设计一款高耐压的VDMOS器件结构,最后采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟)工具来仿真验证优化设计的结果。

关键词：高压功率MOSFET 结终端保护场板场限环

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4H-SiC结势垒肖特基二极管制备及常温离子注入研究

4H-SiC结势垒肖特基二极管制备及常温离子注入研究

引用

作者：王冬雨南京理工大学

学位级别：硕士

作为第三代半导体材料的代表,SiC单晶具有禁带宽度大、饱和电子漂移速率大、临界击穿场强高和热导率高等优势,可以用于制备耐高温、散热好、耐高压、高频大功率器件。目前,SiC单晶已经被广泛应用于肖特基二极管(SBD)、pin二极管以及结... 详细信息

作为第三代半导体材料的代表,SiC单晶具有禁带宽度大、饱和电子漂移速率大、临界击穿场强高和热导率高等优势,可以用于制备耐高温、散热好、耐高压、高频大功率器件。目前,SiC单晶已经被广泛应用于肖特基二极管(SBD)、pin二极管以及结势垒肖特基二极管(JBS)等功率器件的制备。在这些功率器件中,SiC JBS二极管具有SBD二极管和pin管两者的优势,一直是研究的热点之一。目前SiC JBS二极管研究主要集中在离子注入和结终端技术方面。本文基于模拟的方法,研究了 n型4H-SiC材料中A1注入结深、浓度分布与注入角度、缓冲层、能量和剂量的关系,优化了注入深度500nm,浓度均匀分布的注入条件,并进行了常温注入实验。注入完成后,进一步探讨了保护方式、温度等对SiC晶圆激活效果,注入条件和退火保护方式对SiC表面粗糙度的影响。在激活完成后,在材料上生长了一层Ni并进行退火,分析了激活浓度对Ni与A1注入形成的p-SiC的欧姆接触的影响。实验结果表明以4°偏角注入,用100nmSiO作为缓冲层进行注入,以1750℃用SiC上下夹片保护进行退火,可以得到表面粗糙度为0.862nm,激活浓度为4.25×1019 cm-3的p-SiC。1050℃-2min的欧姆接触退火条件为最优条件,制备出比接触电阻率为4.10mΩ.cm2的欧姆接触。轻微的过刻蚀有利于提高肖特基接触性能。同时通过对场板长度的优化,对场限环参数的模拟结合离子注入制备出了开启电压在1V、击穿电压1300V、理想因子1.49、势垒高度1.07eV的SiCJBS器件。

关键词：碳化硅肖特基二极管欧姆接触离子注入高温退火结终端保护

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