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器件参数提取和全域寻优

电子学报 1991年第3期19卷 84-88,96页

作者：赵国南张蠡杭州电子工业学院IC-CAD/CAE研究中心

本文用全域寻优算法探索了器件参数提取,因为软件方法比用硬件方法有利,所以偏重于软件。文中以CaAs MESFET器件参数提取为例,验证了全域寻优算法,同时也解决了器件参数提取中解的唯一性问题。

关键词：器件参数提取全域寻优集成电路

由自动采集的器件参数直接构造的与工艺技术无关的大信号非准静态FET模型

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电子技术（上海） 1992年第11期19卷 17-19,21页

作者：高葆新谢爱国中国惠普公司

从原理上讲,非线性模型方程及其有关参数值可以从器件加工工艺中的各种物理参数获得。另一方面,非线性特点也可以用经验公式来模拟。其中系数的确定(参数提取)可以利用优化技术,通过对测得的数据进行拟合完成。通常,在工程实践中,以上... 详细信息

从原理上讲,非线性模型方程及其有关参数值可以从器件加工工艺中的各种物理参数获得。另一方面,非线性特点也可以用经验公式来模拟。其中系数的确定(参数提取)可以利用优化技术,通过对测得的数据进行拟合完成。通常,在工程实践中,以上两种方法对于定量的非线性电路设计都是不够的。在此我们提出的方法是,测出器件特性参数,然后,从这些数据构造出分别用于直流、小信号以及大信号分析的非线性模型函数。所得的FET模型具有以下特点:(1)它具有极好的通用性;(2)与所采用的器件加工技术及工艺过程无关,因为这些计算过程对于任何器件都适用,只要该器件能用等效电路表示就行;(3)该模型十分具体、精确,这表现在计算中包括了各器件依赖于V_(GS)和V_(DS)特有的非线性;(4)该模型是非准静态的,因为它考虑了频率色散效应。根据比例换算原理,它可以模拟各种结构的器件。

关键词： FET模型信号非线性电路器件参数

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集成电路产业中的仿真技术应用

集成电路应用 2024年第5期 52-54页

作者：吴涛江苏省吴中中等专业学校

阐述电子电路仿真技术在集成电路产业中的应用特点，介绍电子电路设计、集成芯片设计、新型材料研制、器件与电路的兼容分析。从创建电路、确定器件参数、建立电路模型、仿真和优化、验证仿真结果方面，探讨电子电路仿真技术在集成电路... 详细信息

阐述电子电路仿真技术在集成电路产业中的应用特点，介绍电子电路设计、集成芯片设计、新型材料研制、器件与电路的兼容分析。从创建电路、确定器件参数、建立电路模型、仿真和优化、验证仿真结果方面，探讨电子电路仿真技术在集成电路产业中的应用策略。

关键词：集成电路仿真技术兼容分析器件参数设计验证

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旋转波片法偏振检测装置器件参数校准

光学学报 2013年第9期33卷 166-171页

作者：汤飞龙李中梁步扬王向朝范李立王瑄曹绍谦中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室上海201800 中国科学院大学北京100049

波片相位延迟量误差、快轴角度误差和检偏器透光轴角度误差是影响基于旋转波片法的偏振检测装置测量精度的主要因素。通过对波片和检偏器参数进行校准,可有效提高检测装置测量精度。针对现有校准方法操作复杂的不足,提出一种偏振检测装... 详细信息

波片相位延迟量误差、快轴角度误差和检偏器透光轴角度误差是影响基于旋转波片法的偏振检测装置测量精度的主要因素。通过对波片和检偏器参数进行校准,可有效提高检测装置测量精度。针对现有校准方法操作复杂的不足,提出一种偏振检测装置器件参数校准新方法。该方法以水平线偏振光[1,1,0,0]T作为标准参考光,分别在检偏器方位角为0°和45°时,对标准参考光各进行一次测量,计算得出器件参数误差,从而实现偏振检测装置器件参数校准。实验结果表明,通过器件参数校准,偏振检测装置测量误差由原来的3%降低至0.87%以内。

关键词：测量偏振检测校准器件参数斯托克斯参量旋转波片法

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器件参数对单管共射放大电路动态范围的影响

安庆师范学院学报（自然科学版） 2016年第2期22卷 22-25页

作者：郑江云唐飞安庆师范大学物理与电气工程学院安徽安庆246133

最大输出幅度是放大电路的主要技术指标之一,它的大小由电路参数决定。本文以几个典型的放大电路为例,深入探讨了使放大电路输出幅度达到最大的条件、器件参数间应该满足的关系。实验结果与理论值基本一致,这表明本文理论分析是正确的,... 详细信息

最大输出幅度是放大电路的主要技术指标之一,它的大小由电路参数决定。本文以几个典型的放大电路为例,深入探讨了使放大电路输出幅度达到最大的条件、器件参数间应该满足的关系。实验结果与理论值基本一致,这表明本文理论分析是正确的,它可以作为设计低频放大电路的参考。

关键词：放大电路最大输出幅度图解法器件参数

半绝缘砷化镓材料质量与器件参数的某些相关性

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半导体杂志 1991年第3期16卷 29-39,53页

作者：华庆恒刘春香

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提高CCD的器件参数和整机性能的方法

半导体光电 1988年第4期 17-24页

作者：林智准重庆光电技术研究所

从CCD结构、工艺、外围电路等几个方面研究如何提高CCD器件参数和整机性能,包括转移效率、动态范围、信噪比、分辨率、均匀性、线性度、光谱响应。

关键词： CCD 噪声噪音动态范围整机性能非均匀性信号处理电路器件参数

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CMOS器件参数的温度特性研究

微处理机 1988年第3期 1-8页

作者：喻德顺王宏崔艳玲电子工业部东北微电子研究所

CMOS 器件参数随温度的变化是 CMOSIC 高低温条件下失效的主要因素。本文从半导体器件的基础理论和 IC 设计理论出发,结合实验,着重分析了限制CMOS 数字 IC 工作温度范围的主要参数随温度的变化规律,给出了对这些参数进行理论计算、实... 详细信息

CMOS 器件参数随温度的变化是 CMOSIC 高低温条件下失效的主要因素。本文从半导体器件的基础理论和 IC 设计理论出发,结合实验,着重分析了限制CMOS 数字 IC 工作温度范围的主要参数随温度的变化规律,给出了对这些参数进行理论计算、实际测量和计算机模拟所得到的温度数据、曲线和结论。并从工艺设计、版图设计等方面提出了较为实用的提高 CMOS数字 IC 温度稳定性、扩大其工作温度范围的有效措施。

关键词： CMOS 倒相器温度特性载流子迁移率转移特性曲线硅栅器件参数沟道长度

GaAs功率MESFET性能与器件参数关系的实验研究

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微纳电子技术 1984年第3期 29-35页

作者： Asamitsu Higashisaka 张绵

用实验的方法研究了GaAs功率MESFET性能与器件参数的关系。功率增益、输出功率随栅长的变化很灵敏,随着栅长的增加,功率增益的率是1.7dB/μm,输出功率的降低率是0.67dB/μm。栅指的宽度对微波性能的影响不明显,在8GHz下栅指宽度一直增大... 详细信息

用实验的方法研究了GaAs功率MESFET性能与器件参数的关系。功率增益、输出功率随栅长的变化很灵敏,随着栅长的增加,功率增益的率是1.7dB/μm,输出功率的降低率是0.67dB/μm。栅指的宽度对微波性能的影响不明显,在8GHz下栅指宽度一直增大到200μm,其性能尚未开始变坏。对于GaAs功率MESFET微波性能与温度的关系以及热阻与器件几何参数的关系也进行了定量研究。随着器件温度的升高,功率增益的降低率是0.026dB/°C。

关键词： MESFET 栅长微波性能 GaAs 器件参数