CMOS器件参数的温度特性研究
作者机构：电子工业部东北微电子研究所
出 版 物：《微处理机》 (Microprocessors)
年 卷 期：1988年第3期
页 面：1-8页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：CMOS 倒相器 温度特性 载流子迁移率 转移特性曲线 硅栅 器件参数 沟道长度
摘 要：CMOS 器件参数随温度的变化是 CMOSIC 高低温条件下失效的主要因素。本文从半导体器件的基础理论和 IC 设计理论出发,结合实验,着重分析了限制CMOS 数字 IC 工作温度范围的主要参数随温度的变化规律,给出了对这些参数进行理论计算、实际测量和计算机模拟所得到的温度数据、曲线和结论。并从工艺设计、版图设计等方面提出了较为实用的提高 CMOS数字 IC 温度稳定性、扩大其工作温度范围的有效措施。
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