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    • 1 篇 控制科学与工程
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  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学

主题

  • 5 篇 侧壁倾角
  • 1 篇 粗糙度
  • 1 篇 围盘
  • 1 篇 直线段
  • 1 篇 三维微接触测头
  • 1 篇 insb
  • 1 篇 电感耦合等离子体
  • 1 篇 刻蚀
  • 1 篇 icp刻蚀
  • 1 篇 微纳米测量
  • 1 篇 刻蚀速率
  • 1 篇 光刻胶
  • 1 篇 单、双半径
  • 1 篇 感应耦合等离子体...
  • 1 篇 氮化镓
  • 1 篇 射频功率
  • 1 篇 高深宽比
  • 1 篇 纳米测量机
  • 1 篇 刻蚀选择比

机构

  • 1 篇 中国科学院半导体...
  • 1 篇 中国科学院苏州纳...
  • 1 篇 洛阳光电技术发展...
  • 1 篇 中国科学院研究生...
  • 1 篇 新疆八一钢铁股份...
  • 1 篇 无锡晶凯科技有限...
  • 1 篇 上海市计量测试技...
  • 1 篇 北京工业大学

作者

  • 1 篇 张国栋
  • 1 篇 张宝顺
  • 1 篇 黄伟
  • 1 篇 张露
  • 1 篇 孙丽媛
  • 1 篇 司俊杰
  • 1 篇 吴俊杰
  • 1 篇 王理文
  • 1 篇 高志远
  • 1 篇 蔡勇
  • 1 篇 杨彬
  • 1 篇 柴鸿魁
  • 1 篇 吴文蓉
  • 1 篇 李海鸥
  • 1 篇 邹德恕
  • 1 篇 王玮
  • 1 篇 赵林昌
  • 1 篇 马莉
  • 1 篇 李源

语言

  • 5 篇 中文
检索条件"主题词=侧壁倾角"
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ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制
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固体电子学研究与进展 2012年 第3期32卷 219-224页
作者： 王玮 蔡勇 张宝顺 黄伟 李海鸥 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 江苏苏州215123 中国科学院半导体研究所 北京100083 中国科学院研究生院 北京100049 无锡晶凯科技有限公司 江苏无锡214061
深入研究了Cl2基气体电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统对于GaN材料侧壁倾角的控制以及刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、气体流量、腔室压力等参数,经实验验证,实现了从23°～83°侧壁倾角的大范围工艺控制,为GaN基器件... 详细信息
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基于纳米测量机的微结构三维坐标测量
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光学精密工程 2020年 第10期28卷 2252-2259页
作者： 吴俊杰 李源 上海市计量测试技术研究院机械与制造计量技术研究所 上海201203
针对当前微纳米测量中存在的微结构跨尺度、高精度测量及高深宽比结构多参数表征问题,基于纳米测量机和微接触测头构建了纳米坐标测量系统。通过对测头与定位平台机械、电气及软件接口的设计,实现测头与平台的集成,并利用标准球对测量... 详细信息
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利用CH_4/H_2/Ar及Cl_2高密度等离子体对InSb的高速率刻蚀研究(英文)
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红外与激光工程 2012年 第4期41卷 843-846页
作者： 张国栋 司俊杰 王理文 洛阳光电技术发展中心 河南洛阳471009
利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究。为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2。研究发现,对InSb的刻蚀速率随Cl2含量及ICP功率的升高而线性增加。当Cl2含量增加到超过12%或ICP功率大... 详细信息
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GaAs材料ICP刻蚀中光刻胶厚度及刻蚀条件对侧壁倾斜度的影响
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功能材料与器件学报 2012年 第4期18卷 283-290页
作者： 孙丽媛 高志远 张露 马莉 吴文蓉 邹德恕 北京工业大学北京光电子技术教育部重点实验室 北京100124
使用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在光刻过程中采用不同厚度的光刻胶,研究在同一刻蚀条件下不同光刻胶厚度对刻蚀图形侧壁倾斜度的影响,并研究了光刻胶厚度对侧壁倾角影响在不同大小图形刻蚀中的尺寸效应,提出了关于刻... 详细信息
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复二重线材轧机围盘的改造
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新疆钢铁 2003年 第2期 45-46页
作者： 杨彬 柴鸿魁 赵林昌 新疆八一钢铁股份有限公司线材厂
介绍了线材轧机围盘改造前存在的问题 ,通过改造解决了因围盘引起的轧件过早脱槽和翘头子 ,取得了较好的经济效果。
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