ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制
Control of Inductively Coupled Plasma Etching GaN Sidewall Profiles and Etch Rate作者机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215123 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院研究生院北京100049 无锡晶凯科技有限公司江苏无锡214061
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：2012年第32卷第3期
页 面：219-224页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 082704[工学-辐射防护及环境保护] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0827[工学-核科学与技术] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金资助项目(10990102) 江苏省自然科学基金资助项目(BK2011173)
摘 要：深入研究了Cl2基气体电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统对于GaN材料侧壁倾角的控制以及刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、气体流量、腔室压力等参数,经实验验证,实现了从23°～83°侧壁倾角的大范围工艺控制,为GaN基器件工艺提供了有益指导。
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