利用CH_4/H_2/Ar及Cl_2高密度等离子体对InSb的高速率刻蚀研究(英文)

作     者：张国栋 司俊杰 王理文 Zhang Guodong;Si Junjie;Wang Liwen

作者机构：洛阳光电技术发展中心河南洛阳471009 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2012年第41卷第4期

页      面：843-846页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0802[工学-机械工程] 0825[工学-航空宇航科学与技术] 0704[理学-天文学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：航空创新基金(2011D01406) 

主　　题：感应耦合等离子体(ICP) InSb 刻蚀速率 粗糙度 侧壁倾角 

摘      要：利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究。为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2。研究发现,对InSb的刻蚀速率随Cl2含量及ICP功率的升高而线性增加。当Cl2含量增加到超过12%或ICP功率大于900 W时,刻蚀表面变得粗糙,而易引起刻蚀损伤的直流偏压随ICP功率的升高而降低。此现象归因于刻蚀副产物InCl3在样品表面的聚集进而妨碍均匀刻蚀反应所致。当样品温度从20℃提高到120℃,刻蚀速率及表面粗糙度无明显变化。通过试验研究,实现了对InSb的高速率、高垂直度刻蚀,刻蚀速率大于500 nm/min,对SiO2掩模刻蚀选择比大于6,刻蚀表面光洁,刻蚀垂直度可达80°。