GaAs材料ICP刻蚀中光刻胶厚度及刻蚀条件对侧壁倾斜度的影响

作     者：孙丽媛 高志远 张露 马莉 吴文蓉 邹德恕 SUN Li-yuan;GAO Zhi-yuan;ZHANG Lu;MA Li;WU Wen-rong;ZOU De-shu

作者机构：北京工业大学北京光电子技术教育部重点实验室北京100124 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2012年第18卷第4期

页      面：283-290页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：北京工业大学博士科研启动基金(NO:X0002013201101) 北京工业大学研究生科技基金(批准号:ykj-2011-6208)资助的课题 

主　　题：ICP刻蚀 光刻胶 侧壁倾角 刻蚀选择比 

摘      要：使用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在光刻过程中采用不同厚度的光刻胶,研究在同一刻蚀条件下不同光刻胶厚度对刻蚀图形侧壁倾斜度的影响,并研究了光刻胶厚度对侧壁倾角影响在不同大小图形刻蚀中的尺寸效应,提出了关于刻蚀机理的尺寸增益现象及可能发生的刻蚀离子的散射模型,解释了光刻胶厚度较大时小线宽图形侧壁倾角变化明显的现象。在研究光刻胶厚度对侧壁倾角影响的基础上,研究了不同ICP刻蚀选择比对GaAs样品刻蚀后侧壁倾角的变化的影响,并从GaAs干法刻蚀机理及刻蚀条件对ICP刻蚀过程中的化学、物理反应的影响来解释这一现象。