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Rare Metals 2009年第6期28卷 559-563页

作者： LI yuqiong yu zhinong WANG Wuyu FAN yuejiang DING Zhao XUE Wei School of Optoelectronics Beijing Institute ofTectmology Beijing 100081 China General Research Institute for Nonferrous Metals Beijing 100088 China

Inorganic buffer layers such as SiO2 or TiO2 and transparent conductive indium-tin-oxide （ITO） films were prepared on polyethylene terephthalate （PET） substrates by ion assisted deposition （IAD） at room temperature, and the effects of SiO2 and TiOzon the bending resistance performance of flexible ITO films were investigated. The results show that ITO films with SiO2 or TiO2 buffer layer have better resistance stabilities compared to ones without the buffer layer when the ITO films are inwards bent at a bending radius more than 1.2 cm and when the ITO films are outwards bent at a bending radius from 0.8 cm to 1.2 cm. 1TO films with SiO2 buffer layer have better resistance sta- bilities compared to ones with TiO2 buffer layer after the ITO fdms are bent several hundreds of cycles at the same bending radius, for the adhesion of SiO2 is stronger than that of TiO2. The compressive stress resulted from inward bending leads to the formation of more defects in the ITO films compared with the tensile stress arising from outward bending. SiO2 and TiO2 buffer layers can effectively improve the crystallinity of ITO films in （400）, （440） directions.

关键词： indium-tin-oxide (ITO) inorganic buffer layers bending resistance performance stress ion assisted deposition (IAD)

Degradation and Self-recovery of Polycrystalline Silicon TFT CMOS Inverters Under NBTI Stress

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Chinese Journal of Electronics 2019年第4期28卷 884-888页

作者： GUO Jian yu zhinong YAN Wei SHI Dawei XUE Jianshe XUE Wei School of Optics and Photonics and Beijing Engineering Research Center of Mixed Reality and Advanced Display Beijing Institute of Technology

Degradation and self-recovery of polycrystalline Silicon(poly-Si) Thin film transistor(TFT) by using complementary metal oxide semiconductor(CMOS)inverter were investigated. Under DC stress, degradation mechanisms were clarified by comparing the Voltage transfer characteristics(VTC) of fresh and stressed inverters. It is determined that Negative bias temperature instability(NBTI) of p-TFT dominates the degradation of the inverter under zero bias DC stress. After removing the stress, the VTC continues to be degraded, because the interface trap-states and the grain boundary trapstates increase due to hydrogen species diffusion. It is found out that the VTC is shifted to its right side severely with negative bias stress of VIN. The NBTI of p-TFT is enhanced and the NBTI of n-TFT also plays a role on the degradation. When removing the negative bias stress, the self-recovery of NBTI of nTFT and the continuing degradation of NBTI of p-TFT become competing mechanisms, together controlling the VTC after-stress behavior. Consequently, the continuing degradation of NBTI of p-TFT is restrained by selfrecovery of NBTI of n-TFT.

关键词： Negative bias temperature instability(NBTI) Self-recovery Inverter Polycrystalline silicon Voltage transfer characteristics(VTC)

彩色交流等离子体显示板气体放电中平均电子能量的计算

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西安交通大学学报 2000年第10期34卷 72-75,88页

作者：胡文波喻志农孙鉴西安交通大学西安710049

由局域近似假设 ,推导出了彩色交流等离子体显示板 (AC PDP)气体放电中平均电子能量的计算公式 .该由公式的计算结果表明 ,随着Xe分压强与总气压之比xXe或气压 p的增加 ,平均电子能量下降 ,而由电场强度改变造成的能量变化的幅度减小 .... 详细信息

由局域近似假设 ,推导出了彩色交流等离子体显示板 (AC PDP)气体放电中平均电子能量的计算公式 .该由公式的计算结果表明 ,随着Xe分压强与总气压之比xXe或气压 p的增加 ,平均电子能量下降 ,而由电场强度改变造成的能量变化的幅度减小 .根据此计算结果 ,对xXe和 p对彩色AC PDP光电性能的影响进行了理论分析 .分析结果表明 :随着xXe的增加 ,着火电压、记忆范围、亮度和光效均增加 ;随着 p的增加 ,记忆范围、亮度和光效也单调增加 ,而着火电压存在着一个最小值 .

关键词：交流等离子体显示板气体放电电子能量计算

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石墨炔修饰的ZnO薄膜紫外探测器

物理化学学报 2018年第9期34卷 1088-1094页

作者：黄志娟喻志农李言王吉政北京理工大学光电学院北京市混合现实与新型显示工程技术研究中心北京100081 中国科学院化学研究所有机固体实验室北京100190

制备了石墨炔修饰的金属-半导体-金属结构的ZnO紫外探测器,研究了不同旋涂次数的石墨炔修饰对探测器性能的影响。实验结果表明,石墨炔修饰的探测器比未修饰器件的光电流提高4倍,暗电流降低2个数量级,同时探测器的响应度和探测率也明显提... 详细信息

制备了石墨炔修饰的金属-半导体-金属结构的ZnO紫外探测器,研究了不同旋涂次数的石墨炔修饰对探测器性能的影响。实验结果表明,石墨炔修饰的探测器比未修饰器件的光电流提高4倍,暗电流降低2个数量级,同时探测器的响应度和探测率也明显提高,其中旋涂2次的石墨炔修饰的器件特性为最优。在10 V偏压下,旋涂2次的石墨炔修饰的探测器响应度高达1759 A·W^(-1),探测率高达4.23×10^(15) Jones,这是迄今为止报导过的溶胶-凝胶法制备的ZnO紫外探测器的最高值。经过对探测器各项性能的测试分析可知,石墨炔修饰的ZnO探测器性能的提高归因于石墨炔良好的空穴传输特性。暗环境下ZnO与石墨炔界面处形成p-n结,使探测器的暗电流大幅降低;光照条件下光生空穴在石墨炔中聚集,减少了电子空穴对的复合,有效提高了器件的光电流。由于石墨炔修饰减少了ZnO表面的氧分子吸附和解吸附过程,器件的响应速度也明显加快。

关键词：石墨炔 ZnO 紫外探测器响应度探测率

SiO_2缓冲层对柔性ITO薄膜特性的影响

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稀有金属材料与工程 2009年第3期38卷 443-446页

作者：喻志农相龙锋李玉琼薛唯北京理工大学北京100081

利用离子辅助蒸发技术在PET塑料衬底上制备柔性ITO薄膜,重点分析了柔性ITO薄膜在增加SiO2缓冲层前后的性能变化。采用X射线衍射、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测量仪、NT100光学轮廓仪等测试手段对薄膜样品进行表征。实验结果表明:... 详细信息

利用离子辅助蒸发技术在PET塑料衬底上制备柔性ITO薄膜,重点分析了柔性ITO薄膜在增加SiO2缓冲层前后的性能变化。采用X射线衍射、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测量仪、NT100光学轮廓仪等测试手段对薄膜样品进行表征。实验结果表明:增加缓冲层后,柔性ITO薄膜的X射线衍射特征峰的强度增加;薄膜电阻率减小为1.21×10-3?·cm;可见光峰值透过率为85%左右;表面相对光滑;薄膜电阻在一定的弯曲状态保持一定的稳定性。

关键词：离子辅助蒸发技术 ITO薄膜二氧化硅缓冲层

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基于电荷传输层优化的量子点发光二极管

半导体光电 2018年第2期39卷 160-164页

作者：刘珊珊喻志农路洋李新国北京理工大学光电学院薄膜与显示技术实验室北京100081 京东方科技集团股份有限公司北京100176

采用溶液法旋涂薄膜、真空蒸镀铝电极,制备了ITO/PEDOT∶PSS/空穴传输材料/量子点/纳米氧化锌(ZnO Nanoparticles)/Al结构的量子点发光二极管(QLED)器件。对比了不同纳米氧化锌分散剂对器件性能的影响。当用乙醇和乙醇胺分散氧化锌时,... 详细信息

采用溶液法旋涂薄膜、真空蒸镀铝电极,制备了ITO/PEDOT∶PSS/空穴传输材料/量子点/纳米氧化锌(ZnO Nanoparticles)/Al结构的量子点发光二极管(QLED)器件。对比了不同纳米氧化锌分散剂对器件性能的影响。当用乙醇和乙醇胺分散氧化锌时,对量子点层破坏较小,器件的亮度最高达22 940cd/m2,电流效率达28.9cd/A。研究了在聚乙烯咔唑(PVK)中掺杂不同比例4,4′-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)器件的发光特性。在PVK中掺杂TAPC材料能够促进器件空穴传输以及电子空穴注入平衡,当PVK∶TAPC=3∶1时,器件的空穴传输层形貌较为平整,亮度较高;当PVK∶TAPC=1∶1时,器件的开启电压最低。通过对器件膜层表面形貌以及电学、光学性能的对比,分析了电荷传输层优化对器件特性改善的原因。

关键词：量子点发光二极管电荷传输掺杂

IGZO薄膜溅射功率对IGZOTFT栅电压不稳定性的影响

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光学技术 2014年第5期40卷 476-480页

作者：柳逢春喻志农杨伟声郑红川张世玉北京理工大学光电学院薄膜与显示实验室北京100081 北方夜视科技集团有限公司昆明650223 重庆嘉陵华光光电科技有限公司重庆400700

采用不同溅射功率制备的铟镓氧化锌(IGZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层,通过扫描电镜、霍尔效应测试仪,分析了溅射功率对IGZO薄膜形貌及电特性的影响,研究了不同IGZO溅射功率对IGZO-TFT栅偏压不稳定性的影响。结果表明,在一定范围内... 详细信息

采用不同溅射功率制备的铟镓氧化锌(IGZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层,通过扫描电镜、霍尔效应测试仪,分析了溅射功率对IGZO薄膜形貌及电特性的影响,研究了不同IGZO溅射功率对IGZO-TFT栅偏压不稳定性的影响。结果表明,在一定范围内,低溅射功率使得IGZO薄膜的表面粗糙,缺陷较多,载流子浓度较低;在正栅极偏压作用下,低IGZO薄膜溅射功率导致较大的IGZO-TFT阈值电压漂移;在负偏压作用下不产生阈值电压漂移。

关键词：薄膜晶体管 IGZO 溅射功率不稳定性

二次大气退火对于非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管电学特性的影响

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半导体光电 2015年第5期36卷 769-772页

作者：胡安琪喻志农张潇龙张世玉北京理工大学光电学院北京100081

介绍了非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）的制备,并在不同环境下进行了退火。其中,经过一次退火冷却后再进行第二次退火的器件表现出了最佳的电学性能,相比其他器件有较小的亚阈值摆幅（~1.43V/decade）和更好的磁滞稳定性。通... 详细信息

介绍了非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）的制备,并在不同环境下进行了退火。其中,经过一次退火冷却后再进行第二次退火的器件表现出了最佳的电学性能,相比其他器件有较小的亚阈值摆幅（~1.43V/decade）和更好的磁滞稳定性。通过对比其他退火条件下的器件表现与工艺,发现在一次退火基础上增加的较短时间（30min）退火是这些显著提高的主要原因。这说明,在a-IGZO TFT进行了一次退火并冷却后,通过引入二次退火使得a-IGZO薄膜表面平整化和结构密实化,器件性能仍然有提高的空间。

关键词：非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管二次退火亚阈值摆幅磁滞稳定性

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基于氧化锌的紫外探测器研究进展

半导体光电 2022年第1期43卷 100-109页

作者：况丹卞曙光徐爽刘斌刘贤文喻志农北京理工大学光电学院北京市混合现实与先进显示技术工程研究中心薄膜与显示实验室北京100081 科技部高技术中心北京100044

氧化锌(ZnO)是一种天然的宽禁带半导体材料,其理论上的禁带宽度为3.37 eV,近年来已经成为制备紫外探测器件的热门材料之一。然而,由于ZnO材料的本征缺陷,直接制备的紫外探测器件总是存在响应率低、暗电流大、响应速度慢等问题。为了获... 详细信息

氧化锌(ZnO)是一种天然的宽禁带半导体材料,其理论上的禁带宽度为3.37 eV,近年来已经成为制备紫外探测器件的热门材料之一。然而,由于ZnO材料的本征缺陷,直接制备的紫外探测器件总是存在响应率低、暗电流大、响应速度慢等问题。为了获得更好的紫外探测性能,各种可行的器件改善和修饰方法被提出。文章从元素掺杂、表面修饰和异质结构造等三个方面评述了提升ZnO紫外探测器件性能的典型方法,分析了这些方法存在的问题,并展望了未来高性能紫外探测器的发展方向。

关键词：氧化锌紫外探测器元素掺杂表面修饰异质结构造

ZnO缓冲层对Mg_(0.3)Zn_(0.7)O紫外探测器的影响

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半导体光电 2018年第3期39卷 322-325页

作者：黄志娟喻志农杨伟声李言苏秉华薛唯北京理工大学光电学院北京100081 北方夜视科技集团有限公司昆明650223

利用溶胶-凝胶法制备了Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜,并制作了金属-半导体-金属结构的深紫外探测器。研究了高质量ZnO缓冲层的引入对Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜的吸收谱和结晶特性以及Mg_(0.3)Zn_(0.7)O紫外探测器响应参数的影响。实验结果表明:Zn... 详细信息

利用溶胶-凝胶法制备了Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜,并制作了金属-半导体-金属结构的深紫外探测器。研究了高质量ZnO缓冲层的引入对Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜的吸收谱和结晶特性以及Mg_(0.3)Zn_(0.7)O紫外探测器响应参数的影响。实验结果表明:ZnO缓冲层的引入使Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜的紫外-可见光吸收谱有轻微的红移,但可以明显提高薄膜的结晶质量,同时ZnO/Mg_(0.3)Zn_(0.7)O探测器的I-V特性表明,ZnO缓冲层的引入可以显著提高器件的光电流,改善其响应特性,在20V偏压下将Mg_(0.3)Zn_(0.7)O探测器的响应度由0.035A/W提高至0.63A/W。

关键词： ZnO缓冲层 Mg0.3Zn0.7O 溶胶-凝胶法紫外探测器光响应特性