基于氧化锌的紫外探测器研究进展

作     者：况丹 卞曙光 徐爽 刘斌 刘贤文 喻志农 KUANG Dan;BIAN Shuguang;XU Shuang;LIU Bin;LIU Xianwen;YU Zhinong

作者机构：北京理工大学光电学院北京市混合现实与先进显示技术工程研究中心薄膜与显示实验室北京100081 科技部高技术中心北京100044 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2022年第43卷第1期

页      面：100-109页

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金项目(61874009) 

主　　题：氧化锌 紫外探测器 元素掺杂 表面修饰 异质结构造 

摘      要：氧化锌(ZnO)是一种天然的宽禁带半导体材料,其理论上的禁带宽度为3.37 eV,近年来已经成为制备紫外探测器件的热门材料之一。然而,由于ZnO材料的本征缺陷,直接制备的紫外探测器件总是存在响应率低、暗电流大、响应速度慢等问题。为了获得更好的紫外探测性能,各种可行的器件改善和修饰方法被提出。文章从元素掺杂、表面修饰和异质结构造等三个方面评述了提升ZnO紫外探测器件性能的典型方法,分析了这些方法存在的问题,并展望了未来高性能紫外探测器的发展方向。