SiO_2缓冲层对柔性ITO薄膜特性的影响

作     者：喻志农 相龙锋 李玉琼 薛唯 Yu Zhinong;Xiang Longfeng;Li Yuqiong;Xue Wei

作者机构：北京理工大学北京100081 

出 版 物：《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)

年 卷 期：2009年第38卷第3期

页      面：443-446页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 0806[工学-冶金工程] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：北京市自然科学基金(3063022) 北京理工大学优秀青年教师资助计划(059852) 

主　　题：离子辅助蒸发技术 ITO薄膜 二氧化硅缓冲层 

摘      要：利用离子辅助蒸发技术在PET塑料衬底上制备柔性ITO薄膜,重点分析了柔性ITO薄膜在增加SiO2缓冲层前后的性能变化。采用X射线衍射、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测量仪、NT100光学轮廓仪等测试手段对薄膜样品进行表征。实验结果表明:增加缓冲层后,柔性ITO薄膜的X射线衍射特征峰的强度增加;薄膜电阻率减小为1.21×10-3?·cm;可见光峰值透过率为85%左右;表面相对光滑;薄膜电阻在一定的弯曲状态保持一定的稳定性。