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侧墙计量有望顺利迈入32nm节点
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集成电路应用 2007年 第5期24卷 33-36页
作者： Alexander E.Braun Semiconductor International
随着技术节点的进步，AFM．
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线宽量测从容面对32nm
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集成电路应用 2008年 第8期25卷 20-24页
作者： Alexander E.Braun
尽管有迹象表明传统的测量设备已经达到了能力的极限,但是全新设计并具有更为复杂的计算模型的新一代测量技术将继续为包括工艺监控、技术检测、物理测量和电学测试在内的各种测试项目提供高精度、高重复性的技术支持。
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计量技术勉强应对下一代制程的挑战
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集成电路应用 2007年 第3期24卷 52-52,54-57页
作者： Alexander E.Braun Semiconductor International
新材料、浸没式光刻和越来越小的CD,迫使计量技术不得不应对关键制程和物理极限。
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APC/AeC使新器件节点成为可能
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集成电路应用 2007年 第9期24卷 24-28页
作者： Alexander E.Braun Semiconductor International
为了能够应对更加复杂的工艺和更脆弱的器件特性,APC/AeC要求更多更好的实时工具数据。
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先进计量应对新材料和制程复杂度的挑战
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集成电路应用 2007年 第1期24卷 40-44页
作者： Alexander E.Braun Semiconductor International
45nm节点以下的计量要求将变得非常复杂,需要在集成计量与瑞士军刀式的全能平台之间取得平衡。
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增强建模和仿真能力以满足下一代工艺的需求
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集成电路应用 2007年 第10期24卷 35-39页
作者： Alexander E.Braun Semiconductor International
面对不断增加的设计复杂度，eDA模型必须能够解决与新出现的工艺现象有关的问题，并密切反映翻造工艺以返回正确的解决方案。
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检测更小、更致命缺陷所面临的障碍
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集成电路应用 2007年 第6期24卷 37-40页
作者： Alexander E.Braun Semiconductor International
随着器件尺寸向22nm节点挺进,更小的缺陷造成的影响变得更为致命。为了检测它们,需要改进相关的设备和测量方法。
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3-D分析进展满足器件要求
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集成电路应用 2008年 第5期25卷 34-35页
作者： Alexander E.Braun
尽管已经出现了多种工具和概念，但超浅结（USJ）的分析仍然是一个需要解决且无法避免的问题。“在测量方法学上，要夺得这一圣杯，你需要绘制出器件完整的3-D分布——包括掺杂和载流子，”IMeCS工艺技术部门材料与元件分析组的负责人Wi... 详细信息
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晶圆边缘的检测
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集成电路应用 2006年 第5期23卷 33-35页
作者： Alexander E.Braun Semiconductor International
随着特征尺寸的缩小,晶圆表面任何一部分都不允许闲置不用,器件越发地靠近边缘,因此对于晶圆的检查不能再忽视边缘。现有的检查平台必须升级以面对这种挑战。
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纳米技术逐渐成为半导体制造业的支柱
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集成电路应用 2006年 第10期23卷 33-37页
作者： Alexander E.Braun Semiconductor International
从表面看,纳米技术正在不断发展,但发展成效距离其发展目标一取代CMOS技术还相差甚远。由于纳米技术的主要发展方向定位于支持而不是超越当前技术,因此CMOS正在演变为纳米技术的发展平台。
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