3-D分析进展满足器件要求
3-D Analysis Progressing to Meet Device Needs出 版 物：《集成电路应用》 (Application of IC)
年 卷 期：2008年第25卷第5期
页 面：34-35页
学科分类：1305[艺术学-设计学（可授艺术学、工学学位）] 13[艺术学] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
主 题：平面器件 3-D 载流子分布 finFET 深度分辨率 技术部门 超浅结 方法学
摘 要：尽管已经出现了多种工具和概念，但超浅结（USJ）的分析仍然是一个需要解决且无法避免的问题。“在测量方法学上，要夺得这一圣杯，你需要绘制出器件完整的3-D分布——包括掺杂和载流子，IMECS工艺技术部门材料与元件分析组的负责人Wilfried Vandervorst这样说。“随着平面器件逐渐被像finFET这样的3-D结构所取代，探测掺杂或载流子分布的方法变得非常必要。这些方法需要在灵敏、定量、精确、可重复和空间／深度分辨率多个方面，提供与目前1-D和2-D工具类似的能力。
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