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热氧化磁控溅射金属锌膜制备ZnO纳米棒

固体电子学研究与进展 2004年第4期24卷 432-435页

作者：石礼伟李玉国王强薛成山庄惠照山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所济南250014

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备金属锌膜 ,在空气中退火热氧化合成了一维ZnO纳米棒。用X射线衍射 (XRD) ,扫描电子显微镜 (SEM) ,透射电子显微镜 (TEM)和光致发光谱 (PL)对样品进行了结构、形貌及光学特性分析。结果表明 :Zn... 详细信息

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备金属锌膜 ,在空气中退火热氧化合成了一维ZnO纳米棒。用X射线衍射 (XRD) ,扫描电子显微镜 (SEM) ,透射电子显微镜 (TEM)和光致发光谱 (PL)对样品进行了结构、形貌及光学特性分析。结果表明 :ZnO纳米棒为六方纤锌矿结构单晶相 ,直径在 30～ 6 0nm左右 ,其长度可达5～ 8μm左右。在 2 80nm波长光激发下 ,有很强的 372nm带边紫外光发射和较微弱的 5 16nm深能级绿光发射。

关键词：磁控溅射热氧化氧化锌纳米棒

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高温氨化Ga_2O_3形成GaN粉末

稀有金属材料与工程 2004年第8期33卷 861-863页

作者：孙振翠曹文田魏芹芹薛成山山东师范大学山东济南250014

采用NH3为N源,以Ga2O3粉末为Ga源高温氨化形成GaN粉末。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对粉末进行结构、形貌分析。结果表明:当Ga源温度为850℃时得到六方纤锌矿结构的GaN晶体颗粒。

关键词：氨化 GaN晶粒 Ga源温度

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注碳外延硅光致蓝光发射研究

半导体光电 2003年第6期24卷 444-446页

作者：李玉国王强石礼伟薛成山山东师范大学半导体研究所山东济南250014

　N型外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀后,发出峰值波长位于431nm左右的蓝色荧光。随电化学腐蚀条件的变化,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于716nm处的红光峰。研究认为样品中C=O复合体杂质镶嵌在退火过程所形成的纳... 详细信息

　N型外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀后,发出峰值波长位于431nm左右的蓝色荧光。随电化学腐蚀条件的变化,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于716nm处的红光峰。研究认为样品中C=O复合体杂质镶嵌在退火过程所形成的纳米硅颗粒的表面而形成的纳米硅镶嵌结构导致了蓝光发射。

关键词：碳注入氢退火电化学腐蚀纳米结构

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氢退火注碳外延硅发光特性研究

稀有金属材料与工程 2005年第2期34卷 256-258页

作者：王强李玉国石礼伟薛成山山东师范大学山东济南250014

外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀相继处理之后,发出位于 431 nm 左右的蓝色荧光峰。随电化学腐蚀条件的增强,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于 716 nm 处的红光峰。样品中随碳注入而注入的杂质 C=O复合体镶嵌在退火... 详细信息

外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀相继处理之后,发出位于 431 nm 左右的蓝色荧光峰。随电化学腐蚀条件的增强,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于 716 nm 处的红光峰。样品中随碳注入而注入的杂质 C=O复合体镶嵌在退火过程所形成的纳米硅颗粒的表面,形成典型的纳米硅镶嵌结构。正是这种结构导致了蓝光发射。

关键词：碳注入氢退火电化学腐蚀纳米硅镶嵌结构

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稀土金属Tb催化制备GaN纳米棒(英文)

稀有金属材料与工程 2012年第11期41卷 1896-1898页

作者：陈金华师平郭纪源薛成山镇江高等职业技术学校江苏镇江212016 江苏科技大学江苏镇江212001 山东师范大学山东济南250014

利用稀土金属Tb作为催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜制备出GaN纳米棒。X射线衍射和傅里叶红外吸收谱测试结果表明,制备的样品为六方结构的GaN。利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜对样品... 详细信息

利用稀土金属Tb作为催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜制备出GaN纳米棒。X射线衍射和傅里叶红外吸收谱测试结果表明,制备的样品为六方结构的GaN。利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜对样品进行测试,结果显示样品为单晶结构的纳米棒,直径为80～200nm,长度达几十微米。最后简单地讨论了GaN纳米棒的生长机制。

关键词：稀土纳米棒单晶

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耦合量子细胞的非线性特性

物理学报 2000年第10期49卷 2033-2036页

作者：王传奎高铁军薛成山山东师范大学物理系济南250014 山东师范大学半导体所济南250014

研究了两种不同排列的耦合量子细胞的非线性特性 .方形量子细胞由位于角上的四个量子点组成 ,设每个量子细胞内包含两个电子 ,则不同的量子细胞将通过库仑作用发生耦合 .单个细胞内的电子易于占据位于对角线上的量子点 ,从而导致了细胞... 详细信息

研究了两种不同排列的耦合量子细胞的非线性特性 .方形量子细胞由位于角上的四个量子点组成 ,设每个量子细胞内包含两个电子 ,则不同的量子细胞将通过库仑作用发生耦合 .单个细胞内的电子易于占据位于对角线上的量子点 ,从而导致了细胞的极化 .当一个细胞的极化率发生改变时 ,在稳定态的情况下 ,计算了另一个细胞的极化率 .研究结果表明 ,在适当的参数下。

关键词：极化响应量子细胞量子点非线性特性半导体

磁控共溅射SiC纳米颗粒/SiO_2基质镶嵌结构薄膜材料的微结构和光致发光特性

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稀有金属材料与工程 2005年第7期34卷 1073-1076页

作者：石礼伟李玉国王强薛成山庄惠照山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所山东济南250014

采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实... 详细信息

采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性。结果表明:样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中。以280nm波长光激发薄膜表面,有较强的365nm的紫外光发射以及458nm和490nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度的升高显著增强,发光归结为薄膜中与Si-O相关的缺陷形成的发光中心。

关键词：磁控共溅射 SiC纳米颗粒微观结构光致发光

ZnO/Ga_2O_3膜的氨化温度对制作硅基GaN纳米材料的影响(英文)

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稀有金属材料与工程 2005年第1期34卷 73-76页

作者：庄惠照高海永薛成山董志华山东师范大学山东济南250014

通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料。氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上。用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了GaN晶体的结构和组分,利用扫描电子显微... 详细信息

通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料。氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上。用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了GaN晶体的结构和组分,利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的形貌。通过对测试结果的分析可知在Si衬底上由ZnO挥发辅助生长出六方纤锌矿GaN纳米结构晶体,并且ZnO/Ga2O3的氨化温度对形成GaN纳米材料具有明显的影响。

关键词：氨化 ZnO/Ga2O3薄膜挥发射频磁控溅射

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热壁化学气相沉积Si基GaN晶体膜的研究

稀有金属材料与工程 2004年第11期33卷 1226-1228页

作者：曹文田孙振翠魏芹芹薛成山孙海波山东师范大学山东济南250014

采用热壁化学气相沉积工艺在 Si(111)衬底上生长 GaN 晶体膜,并对其生长条件进行研究。用 X 射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的 GaN 晶... 详细信息

采用热壁化学气相沉积工艺在 Si(111)衬底上生长 GaN 晶体膜,并对其生长条件进行研究。用 X 射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的 GaN 晶体膜。实验结果显示:采用该工艺制备 GaN 晶体膜时,选择 H2 作反应气体兼载体,对 GaN 膜的形成起着非常有利的作用。

关键词：热壁化学气相沉积 GaN晶体膜载体H2