ZnO/Ga_2O_3膜的氨化温度对制作硅基GaN纳米材料的影响(英文)

作     者：庄惠照 高海永 薛成山 董志华 Zhuang Huizhao;Gao Haiyong;Xue Chengshan;DONG Zhihua

作者机构：山东师范大学山东济南250014 

出 版 物：《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)

年 卷 期：2005年第34卷第1期

页      面：73-76页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：Project (.9030100290201025) Supported by the National Natural Science Foundation of China 

主　　题：氨化 ZnO/Ga2O3薄膜 挥发 射频磁控溅射 

摘      要：通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料。氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上。用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了GaN晶体的结构和组分,利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的形貌。通过对测试结果的分析可知在Si衬底上由ZnO挥发辅助生长出六方纤锌矿GaN纳米结构晶体,并且ZnO/Ga2O3的氨化温度对形成GaN纳米材料具有明显的影响。