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文献类型

  • 4 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 4 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 4 篇 工学
    • 4 篇 材料科学与工程（可...
    • 4 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 4 篇 zno/ga2o3薄膜
  • 4 篇 射频磁控溅射
  • 3 篇 氨化
  • 1 篇 gan纳米管
  • 1 篇 氮化
  • 1 篇 gan纳米线
  • 1 篇 挥发
  • 1 篇 gan纳米棒和纳米颗...

机构

  • 4 篇 山东师范大学

作者

  • 4 篇 薛成山
  • 4 篇 高海永
  • 4 篇 庄惠照
  • 3 篇 何建廷
  • 3 篇 董志华
  • 2 篇 王书运
  • 1 篇 吴玉新
  • 1 篇 胡丽君
  • 1 篇 薛守斌
  • 1 篇 田德恒

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=ZnO/Ga2O3薄膜"
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氮化zno/ga_2o_3薄膜合成gaN纳米管
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材料科学与工艺 2007年 第1期15卷 121-123页
作者： 庄惠照 高海永 薛成山 王书运 何建廷 董志华 山东师范大学半导体研究所 山东济南250014
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射zno中间层,接着溅射ga2o3薄膜,然后zno/ga2o3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下zno层在氨气的气氛中挥发,而ga2o3薄膜和氨气反应合成出gaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方... 详细信息
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Si基氨化zno/ga_2o_3薄膜制备gaN纳米线
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引用
Journal of Semiconductors 2005年 第5期26卷 931-935页
作者： 高海永 庄惠照 薛成山 王书运 何建廷 董志华 吴玉新 田德恒 山东师范大学半导体研究所 济南250014
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射zno中间层和ga2o3 薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对zno/ga2o3 薄膜进行氨化,高温下zno层在氨气气氛中挥发,而ga2o3 薄膜和氨气反应合成出gaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的gaN... 详细信息
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zno/ga_2o_3膜的氨化温度对制作硅基gaN纳米材料的影响(英文)
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稀有金属材料与工程 2005年 第1期34卷 73-76页
作者： 庄惠照 高海永 薛成山 董志华 山东师范大学 山东济南250014
通过在不同温度下氨化zno/ga2o3膜,在Si衬底上成功制备了gaN纳米结构材料。氨化前,zno层和ga2o3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上。用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了gaN晶体的结构和组分,利用扫描电子显微... 详细信息
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RF磁控溅射和氨化法制备gaN纳米棒和纳米颗粒
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引用
微纳电子技术 2005年 第9期42卷 411-414,419页
作者： 胡丽君 庄惠照 高海永 何建廷 薛守斌 薛成山 山东师范大学半导体研究所 济南250014
利用射频磁控溅射法分别溅射zno中间层和ga2o3薄膜到Si(111)衬底上,然后zno/ga2o3薄膜在管式石英炉中常压下通氨气进行氨化,高温下zno在氨气气氛中被还原生成Zn而升华,而在不同的氨化时间下ga2o3和氨气反应合成出gaN纳米棒和纳米颗粒。... 详细信息
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