Si基氨化ZnO/Ga_2O_3薄膜制备GaN纳米线

作     者：高海永 庄惠照 薛成山 王书运 何建廷 董志华 吴玉新 田德恒 Gao Haiyong;Zhuang Huizhao;Xue Chengshan;Wang Shuyun;He Jianting;DONG Zhihua;Wu Yuxin;Tian Deheng

作者机构：山东师范大学半导体研究所济南250014 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2005年第26卷第5期

页      面：931-935页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:90301002 90201025) 

主　　题：GaN纳米线 ZnO/Ga2O3薄膜 射频磁控溅射 氨化 

摘      要：利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3 薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3 薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3 薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结构.研究发现ZnO层的挥发有利于Ga2O3 和NH3 反应合成GaN纳米线.