热壁化学气相沉积Si基GaN晶体膜的研究
The Investigation of GaN Films Grown on Si Substrates by Hot-Wall Chemical Vapor Deposition作者机构：山东师范大学山东济南250014
出 版 物：《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)
年 卷 期：2004年第33卷第11期
页 面：1226-1228页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 0806[工学-冶金工程] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金重大研究计划(90201025) 国家自然科学基金(60071006)资助项目
摘 要：采用热壁化学气相沉积工艺在 Si(111)衬底上生长 GaN 晶体膜,并对其生长条件进行研究。用 X 射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的 GaN 晶体膜。实验结果显示:采用该工艺制备 GaN 晶体膜时,选择 H2 作反应气体兼载体,对 GaN 膜的形成起着非常有利的作用。
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