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稀有金属材料与工程 2004年第11期33卷 1226-1228页

作者：曹文田孙振翠魏芹芹薛成山孙海波山东师范大学山东济南250014

采用热壁化学气相沉积工艺在 Si(111)衬底上生长 gan 晶体膜,并对其生长条件进行研究。用 X 射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的 gan 晶... 详细信息

采用热壁化学气相沉积工艺在 Si(111)衬底上生长 gan 晶体膜,并对其生长条件进行研究。用 X 射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的 gan 晶体膜。实验结果显示:采用该工艺制备 gan 晶体膜时,选择 H2 作反应气体兼载体,对 gan 膜的形成起着非常有利的作用。

关键词：热壁化学气相沉积 gan晶体膜载体H2

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不同条件对扩镓硅基gan晶体膜质量影响的XRD分析

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分析科学学报 2005年第3期21卷 292-294页

作者：王书运山东师范大学物理与电子科学学院济南250014

采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装gan晶体膜,并对其生长条件进行研究。用XRD对样品进行了结构分析,测试结果表明:采用此方法得到的预沉积的扩镓硅基生长gan晶体膜随着扩镓时间和氮化时间的增加,薄膜的晶化程... 详细信息

采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装gan晶体膜,并对其生长条件进行研究。用XRD对样品进行了结构分析,测试结果表明:采用此方法得到的预沉积的扩镓硅基生长gan晶体膜随着扩镓时间和氮化时间的增加,薄膜的晶化程度得到明显提高。

关键词： Ga2O3薄膜 gan晶体膜射频磁控溅射扩镓时间氮化时间

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硅基镓浓度对gan晶体膜质量的影响

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微细加工技术 2004年第3期 33-38页

作者：孙振翠曹文田魏芹芹薛成山李玉国董志华山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所济南250014

采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,再氮化反应组装gan晶体膜,并对其生长条件进行了研究。用傅里叶红外谱仪(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)和光致发光(PL)谱对样品进行结构、形貌和发光特性... 详细信息

采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,再氮化反应组装gan晶体膜,并对其生长条件进行了研究。用傅里叶红外谱仪(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)和光致发光(PL)谱对样品进行结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明,采用此方法可得到六方纤锌矿结构的gan晶体膜。镓浓度在影响膜层质量方面起着不可忽视的作用,随着扩镓浓度的增加,薄膜的晶化程度和发光特性明显提高。

关键词： Ga2O3薄膜 gan晶体膜射频磁控溅射镓浓度

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扩镓硅基gan晶体膜质量的电镜分析

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分析测试技术与仪器 2004年第2期10卷 75-79页

作者：王书运孙振翠曹文田薛成山山东师范大学物理与电子科学学院山东济南250014

采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,氮化反应组装gan晶体膜,并对其生长条件进行研究.用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对样品进行结构、形貌分析.观测结果表明:采用此方法得到的在预沉积扩镓硅基上生长的gan晶体膜,随着扩... 详细信息

采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,氮化反应组装gan晶体膜,并对其生长条件进行研究.用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对样品进行结构、形貌分析.观测结果表明:采用此方法得到的在预沉积扩镓硅基上生长的gan晶体膜,随着扩镓时间的增加,薄膜的晶化程度得到明显提高,而氮化时间对构成gan薄膜的颗粒形态影响不大.

关键词： Ga2O3薄膜 gan晶体膜射频磁控溅射扩镓时间氮化时间

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氮化时间对扩镓硅基gan晶体膜质量的影响

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功能材料与器件学报 2004年第3期10卷 364-368页

作者：曹文田孙振翠魏芹芹薛成山庄惠照高海永山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所山东济南250014

采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装gan晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响。测试结果表明:采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的gan多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了gan与Si衬底的热... 详细信息

采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装gan晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响。测试结果表明:采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的gan多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了gan与Si衬底的热失配。同时显示:在相同的氮化温度下,晶粒尺寸随氮化时间的增加而增大,薄膜的晶化程度相应的得到提高。

关键词：射频磁控溅射 Ga2O3薄膜 gan晶体膜氮化温度氮化时间半导体

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