检索结果-南通市图书馆

稀有金属材料与工程 2004年第11期33卷 1226-1228页

作者：曹文田孙振翠魏芹芹薛成山孙海波山东师范大学山东济南250014

采用热壁化学气相沉积工艺在 Si(111)衬底上生长 GaN 晶体膜,并对其生长条件进行研究。用 X 射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的 GaN 晶... 详细信息

采用热壁化学气相沉积工艺在 Si(111)衬底上生长 GaN 晶体膜,并对其生长条件进行研究。用 X 射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的 GaN 晶体膜。实验结果显示:采用该工艺制备 GaN 晶体膜时,选择 h2 作反应气体兼载体,对 GaN 膜的形成起着非常有利的作用。

关键词：热壁化学气相沉积 GaN晶体膜载体h2

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