注碳外延硅光致蓝光发射研究
Photoluminescence of C^(+) Implanted Epitaxial Si作者机构：山东师范大学半导体研究所山东济南250014
出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)
年 卷 期：2003年第24卷第6期
页 面：444-446页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要： N型外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀后,发出峰值波长位于431nm左右的蓝色荧光。随电化学腐蚀条件的变化,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于716nm处的红光峰。研究认为样品中C=O复合体杂质镶嵌在退火过程所形成的纳米硅颗粒的表面而形成的纳米硅镶嵌结构导致了蓝光发射。
维普期刊数据库
同方期刊数据库