检索结果-南通市图书馆

激光与红外 1997年第4期27卷 215-218页

作者：刘克岳王金义郎维和华北光电技术研究所北京100015

文中简要介绍了CdZnTe晶体用作HgCdTe外延衬底的优点和国内外研究的现状，概括了CdZnTe晶体的生长方法及其特点，总结了影响CdZnTe晶体生长和晶体质量的因素，提出CdZnTe晶体生长中存在的问题和改善晶体质量的措施。

关键词：外延衬底晶体生长 CZT晶体碲锌镉

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

碲镉汞晶体组分及其均匀性控制研究

人工晶体学报 2001年第4期30卷 383-388页

作者：刘克岳王金义吴人齐华北光电技术研究所北京100015

本文利用碲镉汞膺二元固液T -X相图对碲镉汞晶体生长方法进行了分类研究 ;分析了影响碲镉汞晶体组分及其均匀性的因素 ,提出了存在的问题和改善的措施 ;认为在特定组分的固相线温度 (相图中的B点 )生长碲镉汞晶体是一种比较有效的方法 ... 详细信息

本文利用碲镉汞膺二元固液T -X相图对碲镉汞晶体生长方法进行了分类研究 ;分析了影响碲镉汞晶体组分及其均匀性的因素 ,提出了存在的问题和改善的措施 ;认为在特定组分的固相线温度 (相图中的B点 )生长碲镉汞晶体是一种比较有效的方法 ,并报道了采用双相复合维持液相成份生长大直径4 0mm碲镉汞晶体组分控制研究的结果 (在S≈ 12cm2 的晶片面积上 ,x =0 .2 18±0 .0 0 3)。

关键词：磅镉汞组分均匀性晶体生长方法晶体结构半导体材料

Cd_(1-x)Zn_xTe在高压下的电学性质、状态方程与相变

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高压物理学报 2000年第4期14卷 269-272页

作者：鲍忠兴褚君浩柳翠霞刘克岳王金义中国科学院物理研究所中国科学院国际材料物理中心辽宁沈阳110015 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室华北光电研究所

在金刚石压砧装置上 ,采用电阻和电容测量方法研究了Cd1-xZnxTe(x =0 .0 4 )在室温下、17GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明 ,它在 3 1GPa左右和 5GPa左右发生了两次电子结构相变 ,而在 3 1GPa以上和 5 7GPa左右发生了两次... 详细信息

在金刚石压砧装置上 ,采用电阻和电容测量方法研究了Cd1-xZnxTe(x =0 .0 4 )在室温下、17GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明 ,它在 3 1GPa左右和 5GPa左右发生了两次电子结构相变 ,而在 3 1GPa以上和 5 7GPa左右发生了两次晶体结构相变。同时 ,还在活塞圆筒测量装置上研究了Cd1-xZnxTe(x =0 .0 4 )在室温下、4 5GPa内的p V关系。实验结果表明它在3 8GPa左右发生了相变。本工作还给出了它在相变前后的状态方程 ,以及它的Gr櫣ｎｅｉｓｅｎ参数γ0 、体弹模量B0 与B0 的压力导数B0 ′。

关键词：电阻电容电学性质状态方程相变高压三元化合物半导体体弹模量 Gruneisen参数

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

产品通用化、系列化、模块化布局和设计

中国标准化 2024年第2期 43-50页

作者：刘克岳中国电子科技集团公司第十一研究所

本文阐述了“三化”的概念和内涵,梳理了“三化”发展历程,总结了“三化”的重大作用,分析了当前“三化”工作形势,提出了加强“三化”的工作内容、工作思路和工作方法。通过该研究,有利于转变思维方式、组织方式、工作方式,深入推进“... 详细信息

本文阐述了“三化”的概念和内涵,梳理了“三化”发展历程,总结了“三化”的重大作用,分析了当前“三化”工作形势,提出了加强“三化”的工作内容、工作思路和工作方法。通过该研究,有利于转变思维方式、组织方式、工作方式,深入推进“三化”,减少产品品种、精简产品规格、简化产品设计,提高产品使用率和集成度,调整供给侧结构、集中资源聚焦主流产品、引领产品有序高效发展,推动企业市场开拓模式由“市场需求、产品开发”向“市场需求导向、‘三化’设计、引领市场需求”转型升级,推动企业产品发展模式由“多品种、小批量、长周期”向“少品种、大批量、短周期”转型升级,统筹协调产品“技术、质量、进度、成本、效益”之间的关系,为高质量发展增添新活力、打造新引擎。

关键词：通用化系列化模块化产品布局 “三化”设计

维普期刊数据库博看期刊

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Nd∶YAG晶体生长温场优化设计

激光与红外 2003年第1期33卷 43-45页

作者：刘克岳殷志坤陈广民常学诚王广全北京梅雁光电技术有限公司北京100015

文中提出了晶体生长对温场的要求 ,分析了温场分布形状对晶体生长和晶体质量的影响 ,通过优化温场设计和控制 ,得到了比较理想且能重复的温场 ,并在此温场条件下生长出了性能较好的Nd∶YAG晶体。

关键词： Nd:YAG晶体优化设计晶体生长温场分布温度场激光

Hg_(1-x)Cd_xTe在高压下的电学性质、状态方程与相变

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高压物理学报 2000年第1期14卷 28-32页

作者：鲍忠兴褚君浩柳翠霞顾惠成刘克岳李标王金义中国科学院物理研究所中国科学院国际材料物理中心沈阳110015 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室华北光电研究所

在金刚石压砧装置上 ,采用电阻和电容测量方法研究了Hg1-xCdxTe(x =0 .19,0 .2 2 )在室温下、2 0GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明 :它们分别在 0 .7～ 1.8GPa与 8.6GPa左右以及在 1.6GPa左右与 8.3GPa左右发生了两次电子... 详细信息

在金刚石压砧装置上 ,采用电阻和电容测量方法研究了Hg1-xCdxTe(x =0 .19,0 .2 2 )在室温下、2 0GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明 :它们分别在 0 .7～ 1.8GPa与 8.6GPa左右以及在 1.6GPa左右与 8.3GPa左右发生了两次电子结构相变 ;分别在 2GPa左右与 8.6GPa以上以及在 1.6GPa左右与 8.3GPa以上发生了两次晶体结构相变。同时 ,还在活塞圆筒式p V关系测量装置上研究了Hg1-xCdxTe(x =0 .2 1)在室温下、4.5GPa内的p V关系。实验结果发现它在 2 .1GPa左右发生了相变。给出了它在相变前后的状态方程。

关键词：电阻电容状态方程相变半导体高压

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

双相复合生长大直径(Ф40)碲镉汞晶体

半导体杂志 1998年第3期23卷 15-19页

作者：刘克岳王金义华光光电技术研究所

介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法（即双相复合生长法），阐述了该方法的生长机理和生长过程；分析了生长过程中影响晶体生长的因素；总结了该方法晶体生长的特点，并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善措施；通过采取低温生长、低... 详细信息

介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法（即双相复合生长法），阐述了该方法的生长机理和生长过程；分析了生长过程中影响晶体生长的因素；总结了该方法晶体生长的特点，并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善措施；通过采取低温生长、低温梯度下慢速生长、生长后慢速冷却和适当的晶片退火等措施，获得了大直径（Ф４０ｍｍ）、大单晶面积（４～１０ｃｍ２）、径向组分均匀（ｘ≤±０．００３）、光电性能良好（７７Ｋ：ｎｉ≤５×１０１４ｃｍ－３、μｉ≥１．５×１０ｓｃｍ２／Ｖ．ｓ、≥２μｓ；３００Ｋ：０．９ｍｍ厚的晶片透过率Ｔ≥１５％）的碲镉汞晶体。

关键词：碲镉汞晶体生长双相复合垂直结晶

热壁MOCVDHg_（1－x）Cd_xTe中的Hg蒸汽压和分配比

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 1994年第4期15卷 264-267页

作者：丁永庆彭瑞伍韦光宇陈记安李贤春张玉平刘克岳赵振香中国科学院上海冶金研究所华北光电研究所

本文改进和设计了新型可移动式加热电阻炉和反应器，避免了二乙基碲（ＤＥＴｅ）与二甲基镉（ＤＭＣｄ）的直接反应，减了预沉积，在Ｔｅ／Ｃｄ比的控制更为准确的条件下重复稳定地获得了ｘ＝０．２响应波长为１０．６μｍ的Ｈｇ１－ｘ... 详细信息

本文改进和设计了新型可移动式加热电阻炉和反应器，避免了二乙基碲（ＤＥＴｅ）与二甲基镉（ＤＭＣｄ）的直接反应，减了预沉积，在Ｔｅ／Ｃｄ比的控制更为准确的条件下重复稳定地获得了ｘ＝０．２响应波长为１０．６μｍ的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ材料．其中有关组份ｘ值的实验结果首次证明与Ｋｉｓｋｅｒ的热力学模型基本相符．

关键词：碲镉汞材料蒸气压 MOCVD 分配比

有机金属沉积法生长HgCdTe双色晶膜材料的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

红外与激光技术 1995年第6期24卷 23-30页

作者：陈记安刘克岳李贤春赵振香华北光电技术研究所

本文采用有机金属沉积（ＭＯＣＶＤ）法在ＣａＡｓ衬底上率先开展生长双色ＨｇＣｄＴｅ材料的研究，总结了生长ＣｄＴｅ缓冲层和隔离层、ｘ≈０．２、ｘ≈０．３的ＨｇＣｄＴｅ晶膜的工艺条件，并给出了ＨｇＣｄＴｅ双色材料的组分均匀... 详细信息

本文采用有机金属沉积（ＭＯＣＶＤ）法在ＣａＡｓ衬底上率先开展生长双色ＨｇＣｄＴｅ材料的研究，总结了生长ＣｄＴｅ缓冲层和隔离层、ｘ≈０．２、ｘ≈０．３的ＨｇＣｄＴｅ晶膜的工艺条件，并给出了ＨｇＣｄＴｅ双色材料的组分均匀性、厚度、表面形貌、结构和电性能。

关键词：有机金属沉积法 HgCdTe 双色晶膜红外探测器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

HgCdTe外延用的CdZnTe衬底研制

半导体技术 2000年第2期25卷 38-42页

作者：刘克岳王金义张学仁赵宏张健平华北光电技术研究所北京100015

阐述了 Cd Zn Te衬底在红外焦平面阵列探测器研究中的重要性 ;概括了 Cd Zn Te晶体生长的方法、原理和工艺步骤 ;分析了影响晶体质量 (单晶面积、组分及均匀性、结晶完整性、光电特性 )的因素 ,并提出了与质量相关的控制技术 ;介绍了 Cd... 详细信息

阐述了 Cd Zn Te衬底在红外焦平面阵列探测器研究中的重要性 ;概括了 Cd Zn Te晶体生长的方法、原理和工艺步骤 ;分析了影响晶体质量 (单晶面积、组分及均匀性、结晶完整性、光电特性 )的因素 ,并提出了与质量相关的控制技术 ;介绍了 Cd Zn Te衬底制备过程中 ,晶片处理的工艺和步骤 (晶锭的定向切割、单晶划片、极性鉴别、磨抛、腐蚀 ) ;报道了目前 Cd Zn Te晶体的性能水平、晶片处理结果和 Cd Zn Te的应用情况。

关键词： CdZnTe 晶体半底红外探测器