HgCdTe外延用的CdZnTe衬底研制

作     者：刘克岳 王金义 张学仁 赵宏 张健平 Liu Keyue;Wang Jinyi;Zhang Xueren;Zhao Hong;Zhang Jianping

作者机构：华北光电技术研究所北京100015 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2000年第25卷第2期

页      面：38-42页

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：CdZnTe 晶体半底 红外探测器 

摘      要：阐述了 Cd Zn Te衬底在红外焦平面阵列探测器研究中的重要性 ;概括了 Cd Zn Te晶体生长的方法、原理和工艺步骤 ;分析了影响晶体质量 (单晶面积、组分及均匀性、结晶完整性、光电特性 )的因素 ,并提出了与质量相关的控制技术 ;介绍了 Cd Zn Te衬底制备过程中 ,晶片处理的工艺和步骤 (晶锭的定向切割、单晶划片、极性鉴别、磨抛、腐蚀 ) ;报道了目前 Cd Zn Te晶体的性能水平、晶片处理结果和 Cd Zn Te的应用情况。