碲镉汞晶体组分及其均匀性控制研究
Study on the Composition and Homogeneity Control of HgCdTe Crystal作者机构：华北光电技术研究所北京100015
出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)
年 卷 期：2001年第30卷第4期
页 面：383-388页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 081704[工学-应用化学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学]
主 题：磅镉汞 组分 均匀性 晶体生长方法 晶体结构 半导体材料
摘 要：本文利用碲镉汞膺二元固液T -X相图对碲镉汞晶体生长方法进行了分类研究 ;分析了影响碲镉汞晶体组分及其均匀性的因素 ,提出了存在的问题和改善的措施 ;认为在特定组分的固相线温度 (相图中的B点 )生长碲镉汞晶体是一种比较有效的方法 ,并报道了采用双相复合维持液相成份生长大直径4 0mm碲镉汞晶体组分控制研究的结果 (在S≈ 12cm2 的晶片面积上 ,x =0 .2 18±0 .0 0 3)。
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