Hg_(1-x)Cd_xTe在高压下的电学性质、状态方程与相变

作     者：鲍忠兴 褚君浩 柳翠霞 顾惠成 刘克岳 李标 王金义 BAO Zhong-xing;CHU Jun-hao;LIU Cui-xia;GU Hui-cheng;LIU Ke-yue;LI Biao;WANG Jin-yi

作者机构：中国科学院物理研究所 中国科学院国际材料物理中心沈阳110015 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 华北光电研究所 

出 版 物：《高压物理学报》 (Chinese Journal of High Pressure Physics)

年 卷 期：2000年第14卷第1期

页      面：28-32页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 0702[理学-物理学] 

基　　金：中国科学院红外物理国家重点实验室基金资助 

主　　题：电阻 电容 状态方程 相变 半导体 高压 

摘      要：在金刚石压砧装置上 ,采用电阻和电容测量方法研究了Hg1-xCdxTe(x =0 .19,0 .2 2 )在室温下、2 0GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明 :它们分别在 0 .7～ 1.8GPa与 8.6GPa左右以及在 1.6GPa左右与 8.3GPa左右发生了两次电子结构相变 ;分别在 2GPa左右与 8.6GPa以上以及在 1.6GPa左右与 8.3GPa以上发生了两次晶体结构相变。同时 ,还在活塞 圆筒式p V关系测量装置上研究了Hg1-xCdxTe(x =0 .2 1)在室温下、4.5GPa内的p V关系。实验结果发现它在 2 .1GPa左右发生了相变。给出了它在相变前后的状态方程。