咨询与建议

限定检索结果

文献类型

  • 69 篇 期刊文献
  • 4 篇 学位论文
  • 1 篇 会议

馆藏范围

  • 74 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 64 篇 工学
    • 47 篇 电子科学与技术(可...
    • 31 篇 材料科学与工程(可...
    • 10 篇 光学工程
    • 6 篇 信息与通信工程
    • 4 篇 仪器科学与技术
    • 4 篇 动力工程及工程热...
    • 4 篇 电气工程
    • 2 篇 计算机科学与技术...
    • 1 篇 水利工程
    • 1 篇 化学工程与技术
    • 1 篇 软件工程
  • 8 篇 理学
    • 7 篇 物理学
    • 1 篇 化学
  • 4 篇 教育学
    • 4 篇 教育学
  • 2 篇 经济学
    • 1 篇 理论经济学
    • 1 篇 应用经济学
  • 2 篇 文学
    • 1 篇 中国语言文学
    • 1 篇 外国语言文学
  • 2 篇 管理学
    • 1 篇 管理科学与工程(可...
    • 1 篇 农林经济管理
    • 1 篇 公共管理
  • 1 篇 法学
    • 1 篇 法学
  • 1 篇 军事学
    • 1 篇 军队指挥学
  • 1 篇 艺术学
    • 1 篇 戏剧与影视学

主题

  • 10 篇 ldmos
  • 5 篇 微显示
  • 4 篇 硅基液晶
  • 4 篇 击穿电压
  • 3 篇 铌膜
  • 3 篇 lcos
  • 3 篇 soi
  • 3 篇 oled-on-silicon
  • 2 篇 rf-ldmos
  • 2 篇 磁场穿透深度
  • 2 篇 pdsoi
  • 2 篇 射频功率放大器
  • 2 篇 半导体结
  • 2 篇 mosfet
  • 2 篇 超导薄膜
  • 2 篇 空心结构
  • 2 篇 内匹配电路
  • 2 篇 参数提取
  • 2 篇 键合线
  • 2 篇 rf

机构

  • 41 篇 中国科学院微电子...
  • 9 篇 institute of mic...
  • 4 篇 中国科学院大学
  • 3 篇 中国科学院长春光...
  • 2 篇 national laborat...
  • 2 篇 武汉理工大学
  • 2 篇 中国科学院物理研...
  • 2 篇 哈尔滨师范大学
  • 2 篇 吉林大学
  • 2 篇 浙江大学
  • 2 篇 中国科学院物理研...
  • 2 篇 电子科技大学
  • 2 篇 湖北民族学院
  • 1 篇 state key labora...
  • 1 篇 中科院物理所凝聚...
  • 1 篇 nanostructure re...
  • 1 篇 hubei longzhong ...
  • 1 篇 hv工艺开发课器件...
  • 1 篇 中科院物理所
  • 1 篇 中国科学院微电子...

作者

  • 62 篇 杜寰
  • 33 篇 韩郑生
  • 12 篇 王晓慧
  • 12 篇 宋李梅
  • 12 篇 黄苒
  • 11 篇 王文博
  • 9 篇 李科
  • 8 篇 夏洋
  • 8 篇 姜一波
  • 6 篇 丛密芳
  • 6 篇 王帅
  • 6 篇 李桦
  • 5 篇 杨乾声
  • 5 篇 赵博华
  • 5 篇 刘梦新
  • 5 篇 赵士平
  • 5 篇 徐凤枝
  • 5 篇 陈蕾
  • 5 篇 陈赓华
  • 4 篇 赵毅

语言

  • 64 篇 中文
  • 10 篇 英文
检索条件"作者=杜寰"
74 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
硅基负极材料空心结构构筑与储锂性能
收藏 引用
科学通报 2024年 第16期69卷 2145-2156页
作者: 杜寰 刘珊麟 张媛媛 周亮 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室 武汉430070
硅基负极材料具有比容量高和嵌锂电势低等优点,已成为提高锂离子电池能量密度的关键材料之一,但其在循环过程中巨大的体积变化严重影响了电池的循环稳定性.通过构筑具有特殊微纳结构的硅基负极可以有效缓释体积变化.本文将硅基空心结构... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS在TLP应力下的电学机理研究
收藏 引用
电子学报 2019年 第11期47卷 2317-2322页
作者: 李浩 任建伟 杜寰 中国科学院微电子研究所 北京100029 中国科学院大学 北京100049
提高射频功率器件的鲁棒性有利于增强器件的抗静电放电能力和抗失配能力.为了直观地了解器件内部发生的电学过程,本文研究了高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS (Radio Frequency Lateral Diffusion MOS)在TLP (Transmission Line Pulse)应力下的... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
用于FED和PDP平板显示高压驱动电路的CMOS器件
收藏 引用
发光学报 2005年 第5期26卷 678-683页
作者: 李桦 宋李梅 杜寰 韩郑生 中国科学院微电子研究所 北京100029
在Synopsys TCAD软件环境下,结合中国科学院微电子研究所0.8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟。由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性,高压CMOS器件均采用LDMOS结构;根据RESURF技术,对于器件的漂移区进行了优化。... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
交流的彼岸——严歌苓作品从文字到影像的转移
交流的彼岸——严歌苓作品从文字到影像的转移
收藏 引用
作者: 杜寰 哈尔滨师范大学
学位级别:硕士
本文结合现代美学和媒介文化理论,采用小说文本解读和影视改编理论相结合的方法对严歌苓小说及其影视改编作品进行综合研究。在文化批评的基础上,深入思考严歌苓小说中影视化元素的介入和影视改编对严歌苓小说的重新构建的互动关系对... 详细信息
来源: 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
D海关涉案财物管理问题研究
D海关涉案财物管理问题研究
收藏 引用
作者: 杜寰 东北财经大学
学位级别:硕士
海关涉案财物是指海关办案部门在办案过程中,依法采取扣押等措施提取或者固定,以及从其他单位和个人接收的与案件有关的财物。海关涉案财物管理作为海关执法活动的延续,其工作内容主要是依法对涉案财物进行保管、变卖、移交等。海关涉... 详细信息
来源: 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
清江流域经济可持续发展战略研究
清江流域经济可持续发展战略研究
收藏 引用
作者: 杜寰 湖北民族学院
学位级别:硕士
清江流域不仅属于武陵山片区(除宜都外),也属于国家连片扶贫攻坚区。同时,流域大部分区域还属于“生态环境敏感—经济发展滞后—区位功能重要”三位一体的国家重点生态功能区。近年来,清江流域经济开发如火如荼,取得了一定的成绩,但是... 详细信息
来源: 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
复杂中空结构材料的构筑及能源应用
收藏 引用
高等学校化学学报 2023年 第1期44卷 51-71页
作者: 吴育才 杜寰 朱杰鑫 许诺 周亮 麦立强 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室 武汉430070
随着能源问题的日益突显,开发新型多功能材料以满足能源存储与转换应用的需求变得尤为重要.在众多功能材料中,复杂中空结构材料由于其独特的结构和物理化学特性而备受关注.本文综合评述了复杂中空结构材料的普适性构筑方法(硬模板法、... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
疫情下中小企业金融纾困策略研究 ——基于中国农业发展银行对H公司的信贷及金融支持
疫情下中小企业金融纾困策略研究 ——...
收藏 引用
作者: 杜寰 内蒙古财经大学
学位级别:硕士
2020年春节前夕,突如其来的新冠肺炎疫情打乱了原本的经济发展节奏,对我国经济社会发展与全球经济增速带来不确定性。随着疫情的不断蔓延,全国各地的生产加工企业也遭受了巨大的打击,对包括H公司在内的食品制造业企业等实体经济造成了... 详细信息
来源: 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
An analytical model for the surface electrical field distribution of LDMOSFETs with shield rings
收藏 引用
Journal of Semiconductors 2011年 第5期32卷 48-51页
作者: 陈蕾 杜寰 Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences
An analytical model of an LDMOSFET with a shield ring is established according to the 2D Poisson equation. Surface electrical field distribution along the drift region is obtained from this model and the influence of ... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
一种评估功率LDMOS散热特性的方法
收藏 引用
微电子学 2019年 第4期49卷 588-592页
作者: 李浩 杜寰 中国科学院微电子研究所 北京100029 中国科学院大学 北京100049
介绍了一种评估功率LDMOS散热特性的方法。在0.18μm BCD工艺平台制作了结构相同、叉指数量不同的LDMOS,并进行了TLP测试。通过对物理机理以及I-V曲线进行分析,发现随着叉指数目的不断增加,归一化的寄生电阻趋近定值。基于此,提出了寄... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论