用于FED和PDP平板显示高压驱动电路的CMOS器件

作     者：李桦 宋李梅 杜寰 韩郑生 

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2005年第26卷第5期

页      面：678-683页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314705) 

主　　题：显示驱动 高压CMOS器件 0.81μm CMOS工艺 模拟 

摘      要：在Synopsys TCAD软件环境下,结合中国科学院微电子研究所0.8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟。由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性,高压CMOS器件均采用LDMOS结构;根据RESURF技术,对于器件的漂移区进行了优化。器件模拟结果表明,高压NMOS器件源漏击穿电压为220 V;阈值电压和驱动能力分别为0.8 V和1×10-4A/μm。高压PMOS器件源漏击穿电压为-135 V;阈值电压和驱动能力分别为-9.7 V和1.8×10-4A/μm。高压CMOS器件的研制可为进一步研制FED和PDP平板显示高压驱动电路奠定基础。