一种评估功率LDMOS散热特性的方法
A Method to Assess the Thermal-Diffusion Characteristics of Power LDMOS作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京100049
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：2019年第49卷第4期
页 面：588-592页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：介绍了一种评估功率LDMOS散热特性的方法。在0.18μm BCD工艺平台制作了结构相同、叉指数量不同的LDMOS,并进行了TLP测试。通过对物理机理以及I-V曲线进行分析,发现随着叉指数目的不断增加,归一化的寄生电阻趋近定值。基于此,提出了寄生电阻相对变化因子α的概念,用来表征功率LDMOS的散热特性。最后对测试结果进行计算得到,漂移区长度为0.5μm、叉指宽度为33μm、总栅宽为14.4 mm时,LDMOS的α为0.631。
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