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碳纳米管纯化的研究进展

电子元件与材料 2004年第9期23卷 37-40页

作者：曹清陈召勇李言荣邓新武蔡帝电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054

鉴于不同方法所制备的碳纳米管都混有无定形碳、碳纳米颗粒、富勒烯及催化剂粒子等杂质,故必须对其进行纯化。笔者对现今的主要提纯方法,诸如物理纯化法(离心与微孔过滤,空间排阻色谱),化学纯化法(气相氧化,液相氧化等)进行了评述,并介... 详细信息

鉴于不同方法所制备的碳纳米管都混有无定形碳、碳纳米颗粒、富勒烯及催化剂粒子等杂质,故必须对其进行纯化。笔者对现今的主要提纯方法,诸如物理纯化法(离心与微孔过滤,空间排阻色谱),化学纯化法(气相氧化,液相氧化等)进行了评述,并介绍了各种方法中典型的提纯步骤。对这些提纯方法的机理也进行了讨论。

关键词：无机非金属材料碳纳米管杂质纯化方法

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微波处理技术在材料科学工程中的应用

物理与工程 2002年第1期12卷 36-40,29页

作者：常爱民李言荣电子科技大学微电子与固体电子学学院成都610054

本文介绍了微波处理技术在材料科学与工程中的应用及原理 ,以及微波处理技术的特点和优势 ,并指出了应用中的技术难点 .

关键词：微波处理材料科学材料工程特点

Ab initio study of oxygen-vacancy LaAlO_3(001) surface

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Chinese Physics B 2008年第2期17卷 655-661页

作者：唐金龙朱俊秦文峰熊杰李言荣 State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices University of Electronic Science and Technology of China

Density functional theory is used to investigate the surface structures and the energies of two possible terminated LaAlO3 （001） surfaces with oxygen vacancies, i.e. LaO- and AlO2-terminated surfaces. The large displacements of ions, deviated from their crystalline sites, can lead to the formation of the surface rumpling. From thermodynamics analysis, the AlO2-terminated surface with oxygen-vacancies is less stable than the LaO-terminated one. Some states in the gap lie under the Fermi level by about -1eV in the LaO-terminated surface with oxygen vacancies. For the AlO2- terminated oxygen-vacancy surface, some O 2p states move into the mid-gap region and become partially unoccupied. The two types of termination surfaces exhibit conduction related to oxygen vacancies. Our results can contribute to the application of LAO films to high dielectric constant materials.

关键词： oxygen vacancy surface conduction density functional calculation

α-Al_2O_3基片(0001)表面及其对ZnO吸附位置研究

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真空科学与技术学报 2004年第1期24卷 5-10页

作者：杨春李言荣陶佰万刘兴钊张鹰刘永华电子科技大学微电子与固体电子学院中国工程物理研究院化工材料研究所四川绵阳621000

建立了一种 2× 2α Al2 O3 (0 0 0 1)基片表面吸附ZnO模型 ,在周期边界条件下的k空间中 ,采用基于密度泛函理论的局域密度近似平面波超软赝势法 ,对α Al2 O3 (0 0 0 1)基片表面结构及其ZnO分子在表面最初吸附生长位置进行了计算研究... 详细信息

建立了一种 2× 2α Al2 O3 (0 0 0 1)基片表面吸附ZnO模型 ,在周期边界条件下的k空间中 ,采用基于密度泛函理论的局域密度近似平面波超软赝势法 ,对α Al2 O3 (0 0 0 1)基片表面结构及其ZnO分子在表面最初吸附生长位置进行了计算研究。由于较大的表面弛豫 ,使得氧原子全部暴露于基片最外表面 ,明显地表现出O原子电子表面态 ;驰豫后的表面能对ZnO分子产生较强的化学吸附 ,表面电子结构将发生明显的变化 ,其表面最优吸附生长点的方位正好偏离α Al2 O3 (0 0 0 1)表面氧六角对称 30° ;并计算了这些吸附生长点处Zn与表面O的结合能。

关键词： α-A12O3基片氧化锌薄膜局域密度近似平面波超软赝势法吸附生长半导体

A PROBABLE NEW HIGH-T_C PHASE IN BiSrCaCuO SYSTEM

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Chinese Science Bulletin 1991年第10期36卷 835-837页

作者：李言荣李有谟 Changchun Institute of Applied Chemistry Academia Sinica Changchun 130022 PRC

Ⅰ. INTRODUCTIONWe have known that the addition of Pb to BiSrCaCuO superconductors enhances high-T_c phase (i.e., 2223 phase, c=37, T_c≈110K)formation and that zero resistance at 132 K has been observed in BiPbSbSrCaCuO system. It is desirable to study doping other elements to the Bi-system with the variation of the nominal atomic ratio of

关键词： high-T_c superconductivity BiSrCaCuO BiPbSrCaCuO.

非晶SrTiO3纳米薄膜退火处理方法的研究

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功能材料 2004年第Z1期35卷 2898-2901页

作者：黄文孙小峰蒋书文张鹰李言荣电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054 电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054 电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054 电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054 电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054

用激光脉冲沉积技术(PLD),以N型(100)Si为基底在300℃下制备100nm非晶STO薄膜,分别用常规退火(CFA),快速退火(RTA)以及激光诱导晶化(LIC)处理将其转化多晶薄膜,用XRD测定薄膜相组分和结晶质量,用AFM观测薄膜表面微结构.比较不同工艺退... 详细信息

用激光脉冲沉积技术(PLD),以N型(100)Si为基底在300℃下制备100nm非晶STO薄膜,分别用常规退火(CFA),快速退火(RTA)以及激光诱导晶化(LIC)处理将其转化多晶薄膜,用XRD测定薄膜相组分和结晶质量,用AFM观测薄膜表面微结构.比较不同工艺退火对薄膜结晶品质的影响并阐述了各自形核结晶的机理.

关键词： SrTiO3薄膜退火处理界面形态晶化

ZnO在Al_2O_3(0001)表面的吸附与成键

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中国科学（G辑） 2004年第3期34卷 300-310页

作者：杨春李言荣薛卫东李金山刘永华电子科技大学微电子与固体电子学院中国物理工程研究院化工材料研究所绵阳621000

采用基于密度泛函的分子动力学赝势方法, 对ZnO在a-Al2O3(0001)表面的吸附进行了理论计算, 研究了ZnO分子在Al2O3表面吸附成键过程、吸附能量与成键方位、表面原子结构变化以及表面化学键特性. 结果表明ZnO在表面吸附后消除了吸附前表面... 详细信息

采用基于密度泛函的分子动力学赝势方法, 对ZnO在a-Al2O3(0001)表面的吸附进行了理论计算, 研究了ZnO分子在Al2O3表面吸附成键过程、吸附能量与成键方位、表面原子结构变化以及表面化学键特性. 结果表明ZnO在表面吸附后消除了吸附前表面Al-O层的弛豫, 化学结合能为434.3(±38.6)kJ·mol-1. 吸附后ZnO化学键(0.185±0.01 nm)与最近邻的表面Al-O键有30的偏转角度, Zn在表面较稳定的化学吸附位置正好偏离表面O的六角对称约30. 通过吸附前后原子布居数、态密度以及成键电子密度的分析, 表明ZnO的O2-与表面上的Al3+所形成的化学键具有强离子键特征; 而Zn2+同基片表面O2- 形成的化学键有明显的共价键成分, 主要来自于Zn 4s与O 2p的杂化, 以及部分Zn 3d与O 2p的杂化.

关键词：氧化锌薄膜氧化铝表面密度泛函化学吸附态密度赝势分子束外延技术

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外延薄膜生长的实时监测分析研究

功能材料 2004年第2期35卷 265-266,270页

作者：李金隆张鹰邓新武刘兴钊陶伯万李言荣电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054

　利用反射式高能电子衍射(RHEED)在超高真空中对SrTiO3(100)、LaAlO3(100)、Si(100)单晶基片进行分析,讨论了衍射花样与晶体表面结构的对应关系,计算出表面的晶体学参数,同时采用激光分子束外延技术同质外延生长SrTiO3薄膜,根据RHEED... 详细信息

　利用反射式高能电子衍射(RHEED)在超高真空中对SrTiO3(100)、LaAlO3(100)、Si(100)单晶基片进行分析,讨论了衍射花样与晶体表面结构的对应关系,计算出表面的晶体学参数,同时采用激光分子束外延技术同质外延生长SrTiO3薄膜,根据RHEED衍射图样及强度振荡曲线实时监控薄膜的生长。

关键词：薄膜生长实时监测 RHEED 反射式高能电子衍射外延生长

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连续生长的双面CeO_2种子层均匀性研究

稀有金属材料与工程 2008年第A4期37卷 115-118页

作者：熊杰陶伯万韩晓贺镜谭冯啸宋晓科张飞李言荣电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054

采用直流反应磁控溅射方法在轧制辅助双轴织构Ni-5at%W基带上,成功连续制备出可用作第二代高温超导带材过渡层的高质量双面CeO2种子层薄膜。X射线衍射表明薄膜均为(00l)方向生长,并存在很强的内面外织构;原子力显微镜表征缓冲层表面连... 详细信息

采用直流反应磁控溅射方法在轧制辅助双轴织构Ni-5at%W基带上,成功连续制备出可用作第二代高温超导带材过渡层的高质量双面CeO2种子层薄膜。X射线衍射表明薄膜均为(00l)方向生长,并存在很强的内面外织构;原子力显微镜表征缓冲层表面连续平整,颗粒致密无裂纹,通过对长样品两面和不同位置研究,表明所制备得到的双面薄膜具有很好的两面一致性和单面均匀性。采用相同的工艺条件生长YSZ中间层以及CeO2模版层得到CeO2/YSZ/CeO23层缓冲层结构。并在其短样上采用直流溅射生长YBCO薄膜进一步验证过渡层薄膜的质量,YBCO薄膜具有较高的结晶质量;其单面临界电流密度Jc达到1.3MA/cm2,双面带材临界电流Ic为113A/cm。在总厚度增加不大的情况下,双面带材的提出,能够使电流承载水平成倍增加,其工程电流密度大幅度增加,并有利于器件小型化。

关键词： YBa2Cu3O7-δ涂层导体双面带材 CeO2/YSZ/CeO2缓冲层直流反应磁控溅射