外延薄膜生长的实时监测分析研究
Study of real time monitoring epitaxial thin film growth作者机构：电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054
出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)
年 卷 期：2004年第35卷第2期
页 面：265-266,270页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
主 题：薄膜生长 实时监测 RHEED 反射式高能电子衍射 外延生长
摘 要： 利用反射式高能电子衍射(RHEED)在超高真空中对SrTiO3(100)、LaAlO3(100)、Si(100)单晶基片进行分析,讨论了衍射花样与晶体表面结构的对应关系,计算出表面的晶体学参数,同时采用激光分子束外延技术同质外延生长SrTiO3薄膜,根据RHEED衍射图样及强度振荡曲线实时监控薄膜的生长。
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