蓝宝石上射频溅射沉积CeO_2外延缓冲层

作     者：熊杰 陶伯万 谢廷明 陈家俊 刘兴钊 李金隆 李言荣 XIONG Jie;TAO Bowan;XIE Tingming;Chen Jiajun;Liu Xingzhao;Li Jinlong;LI Yanrong

作者机构：电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054 

出 版 物：《硅酸盐学报》 (Journal of The Chinese Ceramic Society)

年 卷 期：2005年第33卷第2期

页      面：149-154,159页

核心收录：

学科分类：0817[工学-化学工程与技术] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

主　　题：钇钡铜氧超导薄膜 氧化铈缓冲层 蓝宝石 外延生长 

摘      要：研究了基片温度、溅射功率对采用射频溅射沉积在(1102)蓝宝石基片上的CeO2薄膜生长的影响。过低的沉积温度、溅射功率都会导致CeO2薄膜呈[111]取向生长。在基片温度为700~750 ℃,溅射功率为100~150 W,溅射气压为14 Pa下沉积了高质量[00l]取向的CeO2缓冲层。通过X射线衍射和原子力显微镜表征CeO2薄膜的结构和表面形貌。在最优化条件下制备的 CeO2薄膜具有优良的面内面外取向性和平整的表面。在CeO2缓冲层上制得的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜为完全[00l]取向,面内取向性良好,并具有优越的电学性能,其临界转变温度(Tc)为89.5 K,临界电流密度Jc(77 K,0T)约为1.8×106 A/cm2,微波表面电阻Rs(77 K,10 GHz)大约为 0.30 mΩ。