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核聚变与等离子体物理 1991年第4期11卷 240-245页

作者：洪文玉唐素筠常淑芬关红宇核工业西南物理研究院

本文应用表面分析技术研究HL-1装置中SiC涂层的等离子体辐照性能。结果表明,SiC材料应用于孔栏和壁涂层有利于减少杂质和提高等离子体品质。

关键词：托卡马克 SiC 涂层辐照表面分析

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HL-1装置中的TiC涂层辐照实验研究

真空 1990年第3期27卷 39-44页

作者：洪文玉唐素筠常淑芬西南物理研究院

利用ＨＬ－１装置的等离子体辐照研究了石墨基体上的ＴｉＣ涂层。对辐照前、后的样品进行了俄歇电子能谱（ＡＥＳ）、扫描电镜（ＳＥＭ）和Ｘ射线衍射谱（ＸＤＳ）分析，得出：ＴｉＣ涂层内Ｔｉ、Ｃ分布比较均匀；在高功率托卡马克放... 详细信息

利用ＨＬ－１装置的等离子体辐照研究了石墨基体上的ＴｉＣ涂层。对辐照前、后的样品进行了俄歇电子能谱（ＡＥＳ）、扫描电镜（ＳＥＭ）和Ｘ射线衍射谱（ＸＤＳ）分析，得出：ＴｉＣ涂层内Ｔｉ、Ｃ分布比较均匀；在高功率托卡马克放电辐照下，化学腐蚀现象较为严重，但没有改变ＴｉＣ结构相（立方ＴｉＣ）；并有一定的择优取向。同时还发现Ｃ的优先溅射作用及Ｔｉ向石墨基体深层扩展现象。

关键词： TiC涂层 HL-1装置辐照

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HL—1装置中的TiC涂层辐照实验研究

四川真空 1990年第2期19卷 1-7页

作者：洪文玉唐素筠

HL—1装置中SiC涂层辐照实验的表面分析

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四川真空 1991年第2期20卷 27-32,48页

作者：洪文玉唐素筠

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低温溅射沉积TiN薄膜的实验研究

薄膜科学与技术 1993年第2期6卷 151-155页

作者：赵嘉学唐素筠

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对不锈钢表面的辉光放电清洗

真空科学与技术学报 1981年第5期 284-289+283页

作者：冯广泽洪文玉唐素筠孙立西南物理研究所

本文叙述了 Ar 气或 Ar+O2混合气中直流辉光放电清洗不锈钢表面。四极质谱计分析表明,去除了表面上的碳氢化合物和其它杂质气体,同时经过溅射刻蚀减少了表面粗糙度,也减小了解吸面积;同时用 X 射线微探针分析证明,基体合金组分没有发生... 详细信息

本文叙述了 Ar 气或 Ar+O2混合气中直流辉光放电清洗不锈钢表面。四极质谱计分析表明,去除了表面上的碳氢化合物和其它杂质气体,同时经过溅射刻蚀减少了表面粗糙度,也减小了解吸面积;同时用 X 射线微探针分析证明,基体合金组分没有发生变化。

关键词：辉光放电谱峰真空室低压室

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射频溅射沉积硅薄膜实验

核聚变与等离子体物理 1988年第1期 43-47页

作者：唐素筠常淑芬朱毓坤西南物理研究所西南物理研究所四川乐山

本文描述采用射频溅射法在GH39不锈钢基体上沉积硅薄膜的实验。对直接溅射沉积硅薄膜的工艺进行了实验研究,并对硅膜进行了SIMS分析。用称重法测出无定形硅膜的最大厚度可达400—500nm,为HL-1装置等离子体边界层物理实验制作了所需的无... 详细信息

本文描述采用射频溅射法在GH39不锈钢基体上沉积硅薄膜的实验。对直接溅射沉积硅薄膜的工艺进行了实验研究,并对硅膜进行了SIMS分析。用称重法测出无定形硅膜的最大厚度可达400—500nm,为HL-1装置等离子体边界层物理实验制作了所需的无定形硅膜收集探针。

关键词：射频溅射沉积率。

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开放科学环境下的数据隐私治理研究

图书情报知识 2024年第4期41卷 57-66页

作者：盛小平唐筠杰上海大学文化遗产与信息管理学院上海200444 北京大学信息管理系北京100871

[目的/意义]科学构建开放科学环境下的数据隐私治理结构、相关路径与策略,可最大限度地保护个人的正当数据与隐私利益。[研究设计/方法]采用文本分析法,围绕数据隐私治理问题,从治理主体、治理客体及治理活动3要素构建数据隐私治理结构... 详细信息

[目的/意义]科学构建开放科学环境下的数据隐私治理结构、相关路径与策略,可最大限度地保护个人的正当数据与隐私利益。[研究设计/方法]采用文本分析法,围绕数据隐私治理问题,从治理主体、治理客体及治理活动3要素构建数据隐私治理结构,形成治理路径。[结论/发现]开放科学环境下数据隐私治理是以数据隐私为治理对象,以数据所有者、数据控制者、数据处理者、数据中介者、数据监管者、数据利他组织作为治理主体,通过实施数据隐私安全教育、数据隐私风险评估、数据隐私处理、数据隐私监管、数据隐私责任处罚、个人数据权利保障6类治理活动,形成一条整体螺旋向上的循环治理路径。[创新/价值]科学构建开放科学环境下的数据隐私治理结构与路径,以保护个人隐私权益和推进开放科学发展。

关键词：数据隐私数据隐私治理治理结构开放科学

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等离子体辐照材料的实验研究

中国核科技报告 1992年 685-696页

作者：洪文玉姚良骅唐素筠常淑芬李国栋核工业西南物理研究院成都核工业西南物理研究院

利用HL-l装置的等离子体辐照研究了石墨基体上的TiC、SiC涂层和壁碳化。对辐照前后的样品进行俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM),X射线光电子谱(XPS)和X射线衍射谱(XDS)分析。结果表明,TiC和SiC材料应用于孔栏和壁涂层以及壁碳化有利于... 详细信息

利用HL-l装置的等离子体辐照研究了石墨基体上的TiC、SiC涂层和壁碳化。对辐照前后的样品进行俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM),X射线光电子谱(XPS)和X射线衍射谱(XDS)分析。结果表明,TiC和SiC材料应用于孔栏和壁涂层以及壁碳化有利于减少金属重杂质和氧杂质水平,提高了等离子体品质。

关键词：涂层表面 XDS XPS 辐照 SiC 等离子体托卡马克 TiC 再循环系数晶面距

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HL-1装置中的等离子体—器壁相互作用

真空科学与技术学报 1989年第1期20卷 20-26页

作者：朱毓坤冯广泽严东海洪文玉唐素筠张年满徐云仙西南物理研究所

对HL—1装置欧姆加热放电时的等离子体—器壁相互作用进行了实验研究。由装在抽气管道上的四极分析器所测得的气相杂质的抽除特性,推论H_2O来源于器壁上受放电激活的零级表面化学反应,CO和CO_2为表面碰撞化学反应,CH_4则为表面多步骤合... 详细信息

对HL—1装置欧姆加热放电时的等离子体—器壁相互作用进行了实验研究。由装在抽气管道上的四极分析器所测得的气相杂质的抽除特性,推论H_2O来源于器壁上受放电激活的零级表面化学反应,CO和CO_2为表面碰撞化学反应,CH_4则为表面多步骤合成化学反应。由置于等离子体刮离层中的硅收集探针的表面分析,表明Mo、Ni、Cr等为HL—1等离子体的中主要重杂质,来源于器壁表面的单极弧和和荷能粒子的碰撞溅射。设计了托卡马克中氢粒子流入射边界层中硅探针的蒙特卡罗模拟程序HISP。得到氢粒子流注入硅探针的特征深度Xm(nm)和其动力温度kT(eV)的关系式kT=50Xm-50,由此估算出入射硅探针表面的HL—1边界层等离子体动力温度约为55eV。由对收集探针的溅射AES剖面分析得出,HL—1高功率放电中在刮离层中总杂质通量的最大值可达8×10^(15)原子/厘米~2.秒,其中C、O、Mo、Ni和Cr分别占17.5%、34.8%、8.1%、8.5%和6.5%。最后提出了降低HL—1等离子体中杂质的建议。

关键词：托卡马克 HL-1 表面化学反应欧姆加热抽气管第一壁蒙特卡罗模拟器壁边界层杂散场

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