掺银对太阳能电池吸收层材料SnS薄膜性能的影响

作     者：贾宏杰 程树英 

作者单位：福州大学物理与信息工程学院 

会议名称：《第十届中国太阳能光伏会议》

会议日期：2008年

学科分类：08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：福建省科技厅重点项目 福建省自然科学基金 科技三项项目(2008I0019,2006J0032和2006F5062) 

关 键 词：Ag掺杂 SnS薄膜 半导体特性 掺银电压 

摘      要：采用真空热蒸发法在玻璃基片上分别蒸镀一层SnS薄膜和一层Ag薄膜,然后在300℃的真空炉中退火2h后,制备出SnS:Ag薄膜。通过改变银的蒸发电压(60V～70V),以实现不同掺杂浓度的SnS:Ag薄膜。采用XRD对制备的薄膜进行物相分析,结果表明,所制得的薄膜是具有正交结构的SnS多晶薄膜,在(111)晶面上有很强的择优取向,且当银的蒸发电压提高时,薄膜中会出现AgS的衍射峰;同时掺杂对SnS薄膜表面形貌有一定的影响。光电性能研究表明,室温下,SnS:Ag薄膜随掺银量的增大,其载流子浓度增大,由银的蒸发电压为60V时的1.271×10 cm增大到70V时的1.035×10 cm;而其电阻率减小,由银的蒸发电压为60V时的386Ωcm减小到70V时的107Ωcm;但薄膜的导电类型不变,仍为p型。SnS:Ag薄膜的光学带隙Eg随着Ag掺杂浓度增大呈非线性下降。