检索结果-南通市图书馆

不同浓度比的硫酸根和氯离子溶液中钝化膜的半导体特性转变机制研究

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物理化学学报 2014年第8期30卷 1465-1473页

作者：夏大海杨丽霞天津大学材料科学与工程学院天津300072 天津大学天津市材料复合与功能化重点实验天津300072 Department of Chemical and Materials Engineering University of Alberta Edmonton T6G 2V4 Alberta Canada 中国地质大学材料与化学学院武汉430074

800合金作为核电站蒸汽发生器的一种关键材料,服役环境下其表面钝化膜的特性一直是人们研究的热点.本文用Mott-Schottky方法研究了800合金在不同硫酸根离子和氯离子浓度比的溶液中钝化膜的半导体特性,并结合电化学阻抗谱(EIS)、扫描电镜... 详细信息

800合金作为核电站蒸汽发生器的一种关键材料,服役环境下其表面钝化膜的特性一直是人们研究的热点.本文用Mott-Schottky方法研究了800合金在不同硫酸根离子和氯离子浓度比的溶液中钝化膜的半导体特性,并结合电化学阻抗谱(EIS)、扫描电镜(SEM)、扫描电化学显微镜(SECM)研究了钝化膜的耐蚀性和表面活性.Mott-Schottky结果表明,800合金表面钝化膜的半导体特性与溶液中硫酸根、氯离子的浓度比有关,随硫酸根与氯离子浓度比的降低,半导体特性发生转变.当硫酸根与氯离子的浓度比较高时,钝化膜为p型半导体;而当硫酸根与氯离子的浓度比较低时,钝化膜为n型半导体.EIS、SECM、SEM结果表明,随浓度比的降低钝化膜由过钝化溶解转为明显的点蚀特征,钝化膜表面活性增加.钝化膜特性的改变与其半导体类型的转变密切相关,而半导体特性的转变由氯离子、硫酸根离子在800合金钝化膜表面的竞争吸附所致,其在表面的竞争吸附直接影响钝化膜表面发生的化学反应,改变电极/溶液界面电势差,使钝化膜中的空位类型改变,最终决定半导体类型.

关键词：钝化膜 800合金半导体特性硫酸根离子氯离子

核级不锈钢焊接接头钝化膜耐蚀性能和半导体特性研究

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原子能科学技术 2015年第2期49卷 316-323页

作者：辛长胜王辉海正银胡勇蔡敏陈童中国原子能科学研究院反应堆工程研究设计所北京102413 环境保护部核与辐射安全中心北京100082

采用电化学阻抗谱(EIS)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、Auger扫描能谱仪(AES)以及容抗测试技术(M-S曲线),研究了316LN/316L不锈钢焊接接头在模拟压水堆一回路高温高压水中形成的钝化膜的耐蚀性能和半导体特性。结果表明,焊缝区、热影响... 详细信息

采用电化学阻抗谱(EIS)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、Auger扫描能谱仪(AES)以及容抗测试技术(M-S曲线),研究了316LN/316L不锈钢焊接接头在模拟压水堆一回路高温高压水中形成的钝化膜的耐蚀性能和半导体特性。结果表明,焊缝区、热影响区和母材区形成的钝化膜的耐蚀性能不同,热影响区钝化膜开路电位及电化学阻抗等均低于其他区域,说明热影响区钝化膜的耐蚀性能最差,这主要与钝化膜的致密程度、厚度及Cr氧化物的含量有关。M-S曲线表明,母材区钝化膜平带电位为-0.7V,较其他区域(-0.4V)负移,表明有BO-3等阴离子在钝化膜表面吸附,加之具有较低的施主和受主浓度,可排斥侵蚀离子的腐蚀,使之较其他区域有更强的耐蚀性能。

关键词： 316LN/316L不锈钢焊接接头钝化膜电化学阻抗耐蚀性能半导体特性

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不锈钢钝化膜耐蚀性与半导体特性的关联研究

物理化学学报 2005年第7期21卷 740-745页

作者：林玉华杜荣归胡融刚林昌健厦门大学化学系固体表面物理化学国家重点实验室厦门361005

通过极化曲线、交流阻抗谱和钝化膜半导体特性等电化学测量,研究了经电化学阳极氧化处理的不锈钢钝化膜在0.5mol·L-1NaCl溶液中耐蚀性能与其半导体特性的关系,进一步探索电化学改性处理不锈钢钝化膜的耐蚀机理.结果表明,不锈钢钝化膜... 详细信息

通过极化曲线、交流阻抗谱和钝化膜半导体特性等电化学测量,研究了经电化学阳极氧化处理的不锈钢钝化膜在0.5mol·L-1NaCl溶液中耐蚀性能与其半导体特性的关系,进一步探索电化学改性处理不锈钢钝化膜的耐蚀机理.结果表明,不锈钢钝化膜在负于平带电位范围表现为p型半导体,在高于平带电位范围表现为n型半导体,这主要与组成钝化膜的Fe和Cr氧化物半导体性质有关.与自然条件下形成的不锈钢钝化膜比较,发现经过电化学阳极氧化后不锈钢钝化膜具有较低的施主与受主浓度,平带电位负移,说明阴离子在钝化膜表面发生吸附.低的施主与受主浓度及钝化膜表面负电荷的增强,可有效排斥侵蚀性Cl-在钝化膜表面的特性吸附,有利于提高不锈钢的耐局部腐蚀性能.

关键词：不锈钢钝化膜耐腐蚀性电化学阻抗谱半导体特性

γ_Ν相在硼酸溶液中钝化膜的组成及其半导体特性研究

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中国腐蚀与防护学报 2018年第1期38卷 47-53页

作者：李广宇雷明凯营口理工学院机电工程系营口115014 大连理工大学材料科学与工程学院大连116024

采用等离子体源渗氮技术在AISI 304L奥氏体不锈钢表面制备高氮面心结构的γ_Ν相层。利用AES和XPS分析了γ_Ν相层在p H值为8.4的硼酸溶液中钝化膜的化学组成,借助Mott-Schottky方程分析了γ_Ν相层钝化膜的半导体特性。结果表明:γ_Ν... 详细信息

采用等离子体源渗氮技术在AISI 304L奥氏体不锈钢表面制备高氮面心结构的γ_Ν相层。利用AES和XPS分析了γ_Ν相层在p H值为8.4的硼酸溶液中钝化膜的化学组成,借助Mott-Schottky方程分析了γ_Ν相层钝化膜的半导体特性。结果表明:γ_Ν相层钝化膜具有双层结构,外层由Fe、Cr氢氧化物和氧化物构成,呈现出n型半导体特性;内层主要以Cr2O3为主,呈现出p型半导体特性,并且N以Fe Nx和Cr Nx形式存在于钝化膜内。与原始不锈钢钝化膜相比,γ_Ν相层钝化膜内施主浓度和受主浓度更低,平带电位负移,说明其钝化膜致密性更好,腐蚀速率更低。

关键词：等离子体源渗氮高氮面心立方相钝化膜耐蚀性能半导体特性

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Ⅱb型宝石级金刚石的表征及半导体特性研究

功能材料 2010年第A1期41卷 165-167页

作者：李尚升刘书强李小雷宿太超肖宏宇马红安罗宁王利英贾晓鹏河南理工大学材料科学与工程学院河南焦作454000 焦作市激光研究所河南焦作454002 吉林大学超硬材料国家重点实验室吉林长春130012

利用温度梯度法在高温高压国产六面顶压机上成功合成出尺寸达4mm的优质Ⅱb型宝石级金刚石。利用显微红外吸收光谱对所合成的黄色、无色及蓝色宝石级金刚石的氮、硼杂质进行了测试。通过对比分析认为所合成的除氮、掺硼蓝色宝石级金刚石... 详细信息

利用温度梯度法在高温高压国产六面顶压机上成功合成出尺寸达4mm的优质Ⅱb型宝石级金刚石。利用显微红外吸收光谱对所合成的黄色、无色及蓝色宝石级金刚石的氮、硼杂质进行了测试。通过对比分析认为所合成的除氮、掺硼蓝色宝石级金刚石为Ⅱb型。利用四探针法和霍尔效应法对不同掺硼量所合成的Ⅱb型宝石级金刚石半导体性质进行了测试;总结了掺硼量与金刚石半导体性质之间的变化关系;分析认为硼的添加对Ⅱb型宝石级金刚石的半导体特性的变化起到了决定性作用。

关键词：高温高压硼 Ⅱb型宝石级金刚石温度梯度法半导体特性

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具有半导体特性的往复走丝电火花线切割研究

航空制造技术 2023年第13期66卷 32-37页

作者：刘志东邓聪潘红伟南京航空航天大学南京210016

针对超高厚度切割、细丝切割、金属基陶瓷复合材料切割等一系列具有半导体特性的电火花线切割,提出一种具有半导体特性的电火花加工理论体系。其实质是:由于工件、电极丝或者两者已具有不可忽略的电阻,从而具有了半导体特性,已不能将其... 详细信息

针对超高厚度切割、细丝切割、金属基陶瓷复合材料切割等一系列具有半导体特性的电火花线切割,提出一种具有半导体特性的电火花加工理论体系。其实质是:由于工件、电极丝或者两者已具有不可忽略的电阻,从而具有了半导体特性,已不能将其作为传统电火花加工中的等势体对待。分析了半导体特性下的往复走丝电火花线切割的加工特征及采用传统电火花线切割加工伺服控制方法失效的原因,提出了使用辨识度更高、基于电流脉冲概率的检测来判断极间的加工状态;同时为了做到长久稳定切割,对于往复走丝时正反向走丝差异明显的工况,应采用正反向不同的伺服控制策略。

关键词：电火花线切割(WEDM) 半导体特性伺服跟踪非对称切割切割稳定性

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钛阳极氧化膜的半导体特性及腐蚀行为

材料保护 2011年第10期44卷 8-11,6页

作者：钱备李淑英范洪强余相仁张琳大连理工大学化工与环境生命学部辽宁大连116024

目前,国内外还鲜见有关金属钛阳极氧化膜半导体特性与腐蚀行为的报道。采用极化曲线、交流阻抗和Mott-Schottky曲线研究了TA2硫酸和磷酸阳极氧化膜的腐蚀性能和半导体特性。结果表明:在1%NaCl溶液中,钛阳极氧化膜的自腐蚀电位升高,自腐... 详细信息

目前,国内外还鲜见有关金属钛阳极氧化膜半导体特性与腐蚀行为的报道。采用极化曲线、交流阻抗和Mott-Schottky曲线研究了TA2硫酸和磷酸阳极氧化膜的腐蚀性能和半导体特性。结果表明:在1%NaCl溶液中,钛阳极氧化膜的自腐蚀电位升高,自腐蚀电流密度降低,耐蚀性能提高;氧化电压对氧化膜的厚度有较大影响;磷酸阳极氧化膜在低频区阻抗更大;2种阳极氧化膜都是n型半导体,磷酸阳极氧化膜的载流子密度较小,平带电位更负。

关键词：阳极氧化膜钛材半导体特性腐蚀性能

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经穴类半导体特性的药理学实验研究

中国针灸 1998年第2期18卷 121-124页

作者：邵政一凌祥周爱玲朱毅芳刘祖舜南通医学院药理学教研室

等离子体基低能氮离子注入AISI 316奥氏体不锈钢的半导体特性研究

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等离子体基低能氮离子注入AISI 316奥氏体不锈钢的半导体特性研究

作者：郭燕大连理工大学

学位级别：硕士

采用等离子体基低能氮离子注入技术对AISI 316奥氏体不锈钢进行表面处理。利用X射线衍射仪(XRD)分析改性层的表面相结构;通过阳极极化曲线、电化学交流阻抗谱(EIS)和Mott-Schottky曲线测量技术研究改性层在3.5% NaCl溶液中的耐点蚀性能... 详细信息

采用等离子体基低能氮离子注入技术对AISI 316奥氏体不锈钢进行表面处理。利用X射线衍射仪(XRD)分析改性层的表面相结构;通过阳极极化曲线、电化学交流阻抗谱(EIS)和Mott-Schottky曲线测量技术研究改性层在3.5% NaCl溶液中的耐点蚀性能与其半导体特性的关系：并用ZsimpWin软件对EIS拟合,确定合适的模型,获得电极反应的动力学参数,探讨等离子体基低能氮离子注入AISI 316奥氏体不锈钢改性层的钝化膜的耐点蚀机理。研究结果表明：等离子体基低能氮离子注入AISI 316奥氏体不锈钢表面形成单一的γN相改性层,在3.5% NaCl溶液中,阳极极化行为由原始AISI 316奥氏体不锈钢的自钝化-点蚀击穿过程转化为自钝化-过钝化溶解过程,γN相改性层未发生点蚀,自腐蚀电位提高64 mV,维钝电流密度降低一个数量级,具有优异的抗点蚀性能。等离子体基低能氮离子注入AISI 316奥氏体不锈钢在3.5% NaCl溶液中的等效电路模型为R(QR)(QR),与原始AISI 316奥氏体相比,γN相改性层的钝化膜电阻R1增大一倍,代表电容特性的Y0值降低,电极反应阻力增大,钝化膜的致密性显著提高;随着浸泡时间的增加,γN相改性层钝化膜电阻相近,保持在105Ω量级,具有良好的稳定性。γN相改性层在3.5% NaCl溶液中形成的钝化膜在外加电压高于平带电位时,表现为n型半导体(Fe2O3),在低于平带电位时,表现为p型半导体(Cr2O3);与原始AISI 316奥氏体不锈钢相比,γN相改性层的施主浓度、受主浓度及平带电位分别从2.4×1021 cm-3、4.57×1021 cm-3和-547 mV降低至6.9×1018 cm-3、6.21×1019 cm-3和-669 mV,氧空位扩散系数从4.4×10-17 cm2·s-1增加至5.7×10-15 cm2.s-1。表明YN相改性层中的氮主要占据钝化膜中n型半导体的氧离子空位,促进了钝化膜的增厚与致密;同时表面溶解的氮形成NH4+,增加了OH-在钝化膜表面的吸附,排斥了界面吸附的Cl-,有利于提高γN相改性层的耐点蚀性能。

关键词： AISI 316奥氏体不锈钢等离子体基低能氮离子注入 γN相点蚀半导体特性