Investigation of Gate Defects in Ultrathin MOS Structures Using DTRS Technique

作     者：霍宗亮 杨国勇 许铭真 谭长华 段小蓉 Huo Zongliang;Yang Guoyong;Xu MingZhen;Tan Changhua;Duan Xiaorong

作者机构：北京大学微电子学研究所北京100871 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2002年第23卷第11期

页      面：1146-1153页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家科技攻关及高校博士点基金资助项目~~ 

主　　题：tunneling metal oxide semiconductor device proportional difference operator 

摘      要：s:A detailed description of relaxation spectroscopy technique under direct tunneling stress is given.A double peak phenomena by applied relaxation spectroscopy on ultra thin (4nm) under FN stress,and the centroid of oxide trap is closer to anode interface than in the center of oxide.