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脉冲MOS结构少子产生寿命的统一表征

电子学报 1996年第8期24卷 19-22页

作者：何燕冬许铭真谭长华北京大学微电子学研究所

本文提出了一种采用脉冲ＭＯＳ结构测量少子产生寿命的统一表征谱方法，此方法基于任何一种收敛弛豫过程均可以转换成一种衰减的指数函数的思想，应用差值取样原理获得脉冲ＭＯＳ结构瞬态电容差值谱，从谱图中我们可以直接得到关于少子... 详细信息

本文提出了一种采用脉冲ＭＯＳ结构测量少子产生寿命的统一表征谱方法，此方法基于任何一种收敛弛豫过程均可以转换成一种衰减的指数函数的思想，应用差值取样原理获得脉冲ＭＯＳ结构瞬态电容差值谱，从谱图中我们可以直接得到关于少子产生寿命的信息．本文综合了众多脉冲ＭＯＳ结构测量少子产生寿命的物理模型，分析了不同模型之间的精细差别（＜１０％）．

关键词：少子产生寿命脉冲MOS电容半导体器件

用比例差分方法从NMOSFET输出特性提取界面陷阱密度(英文)

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北京大学学报（自然科学版） 2004年第3期40卷 417-423页

作者：张贺秋许铭真谭长华北京大学微电子研究院北京100871

在均匀的高电场应力下 ,MOSFET器件的阈值电压和输出特性的比例差分峰值会有所改变。这是由于在应力过程中产生的缺陷引起的。在本文中 ,用比例差分方法从NMOSFET器件的输出特性提取了阈值电压、输出特性的比例差分的峰值和界面陷阱密... 详细信息

在均匀的高电场应力下 ,MOSFET器件的阈值电压和输出特性的比例差分峰值会有所改变。这是由于在应力过程中产生的缺陷引起的。在本文中 ,用比例差分方法从NMOSFET器件的输出特性提取了阈值电压、输出特性的比例差分的峰值和界面陷阱密度。得到了阈值电压和比例差分峰值 ,界面陷阱密度和应力时间的关系。此种方法也适用于PMOSFET器件。这是一个简单而快捷的技术。

关键词：界面陷阱密度高电场应力比例差分 MOSFET

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高场势垒调制效应及其对陷阱测试分析的影响

电子学报 1994年第5期22卷 47-53页

作者：刘晓卫许铭真谭长华王阳元北京大学微电子学研究所

高场应力条件下，ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩＭＯＳ结构场发射极附近的镜像力效应和半导体／氧化层界面附近半导体一侧的表面量子化效应都将影响ＭＯＳ结构的高场隧穿势垒高度及形状，本文研究了这种高场势垒调制效应及其对ＭＯＳ结构高场隧穿... 详细信息

高场应力条件下，ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩＭＯＳ结构场发射极附近的镜像力效应和半导体／氧化层界面附近半导体一侧的表面量子化效应都将影响ＭＯＳ结构的高场隧穿势垒高度及形状，本文研究了这种高场势垒调制效应及其对ＭＯＳ结构高场隧穿特性和陷阱测试分析的影响，并给出了初步的修正分析方法．

关键词：势垒高度 MOS器件陷阱测试

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用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷

固体电子学研究与进展 2006年第4期26卷 466-470页

作者：贾高升许铭真谭长华段小蓉北京大学微电子研究院北京100871

应用直接隧道比例差分(DTPDO)谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷。实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的比例差分谱存在明显的三个谱峰。这意味着在超薄栅氧化层退化的过程中有三种氧化层高场诱生缺陷共存。... 详细信息

应用直接隧道比例差分(DTPDO)谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷。实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的比例差分谱存在明显的三个谱峰。这意味着在超薄栅氧化层退化的过程中有三种氧化层高场诱生缺陷共存。研究结果表明,三种缺陷的饱和缺陷密度均随着应力电压和应力温度的增加而增加。三种缺陷的特征产生时间常数与器件的实验温度、所加的应力电压和氧化层的失效时间相关。

关键词：金属-氧化物-半导体器件直接隧穿栅电流比例差分谱多缺陷

一种新的确定少子产生特性的方法——瞬态电容弛豫谱方法

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电子学报 1999年第5期27卷 8-10页

作者：解冰何燕冬许铭真谭长华北京大学微电子所

本文基于差值取样谱定理，提出一种用于同时确定少子寿命及表面产生速度的新方法———瞬态电容弛豫谱方法，该方法利用谱的峰值位置和高度能同时、准确、唯一地得到少子寿命及表面产生速度．同时将该方法与Ｚｅｒｂｓｔ方法得到的结果... 详细信息

本文基于差值取样谱定理，提出一种用于同时确定少子寿命及表面产生速度的新方法———瞬态电容弛豫谱方法，该方法利用谱的峰值位置和高度能同时、准确、唯一地得到少子寿命及表面产生速度．同时将该方法与Ｚｅｒｂｓｔ方法得到的结果进行了对比．

关键词：少子寿命瞬态电容驰豫谱半导体器件设计

硅基异质结n-SiOxNy/n-Si二极管的I-V特性分析

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Journal of Semiconductors 2007年第Z1期28卷 369-371页

作者：许铭真谭长华北京大学微电子研究所北京100871 北京大学微电子研究所北京100871

n-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽带隙(Eg=9eV)n-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,n-SiOxNy的形成效率显著增加.其形成时间的对数lnt随着应力电压、应力环境... 详细信息

n-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽带隙(Eg=9eV)n-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,n-SiOxNy的形成效率显著增加.其形成时间的对数lnt随着应力电压、应力环境温度的增加而减小并呈近似的线性关系.n-SiOxNy中的双施主能级是一种施主型的双缺陷能级,当电应力引导的施主缺陷密度达到1.26×1020cm-3时,SiOxNy,绝缘薄膜呈现n型半导体导电特性.在n-Si或p-Si衬底上形成的硅基异质结n-SiOxNy/n-Si或n-SiOxNy/p-Si二极管的I-V特性具有饱和性质,在电压大于1V的电压区,I-V特性可以用1eV势垒的FN隧道机制来描述.当衬底Si的掺杂增加时,势垒高度下降.

关键词：硅基n-SiOxNy宽带隙半导体薄膜硅基异质结二极管 FN隧道导电机制

用干涉方法研究超薄栅MOS系统中FN振荡电流

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物理学报 2000年第5期49卷 974-982页

作者：毛凌锋谭长华许铭真卫建林北京大学微电子学研究所北京100871

采用干涉方法研究FN振荡电流 ,得到一个精确而且简单的测量栅介质层的厚度及隧穿电子在栅介质层导带中的有效质量的表达式 .通过和求解三角势垒的薛定谔方程得到的结果比较验证了干涉方法的可行性 .干涉方法揭示电子在隧穿过程中体现了... 详细信息

采用干涉方法研究FN振荡电流 ,得到一个精确而且简单的测量栅介质层的厚度及隧穿电子在栅介质层导带中的有效质量的表达式 .通过和求解三角势垒的薛定谔方程得到的结果比较验证了干涉方法的可行性 .干涉方法揭示电子在隧穿过程中体现了波的本性 ,这种方法的一个重要特征是它对不同形状的势垒和势阱可能均适用 .还分析了有关FN振荡电流的实验现象。

关键词：干涉超薄栅MOS系统 FN振荡电路

新生界面陷阱对Fowler-Nordheim电压漂移的影响

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Journal of Semiconductors 1989年第12期10卷 904-911页

作者：谭长华许铭真王阳元北京大学计算机科学技术系

用陷阱俘获模型和恒流方法研究了新生界面陷阱对薄氧化层MOS电容器的F-M(Fow-ler-Nordheim)电压(V_(FN))的影响,得到了电压漂移量△V_(FN)随时间变化的解析表述式.分析结果表明:(d△V_(FN))/(dt)vs △V_(FN)曲线可以用几段直线描述.采... 详细信息

用陷阱俘获模型和恒流方法研究了新生界面陷阱对薄氧化层MOS电容器的F-M(Fow-ler-Nordheim)电压(V_(FN))的影响,得到了电压漂移量△V_(FN)随时间变化的解析表述式.分析结果表明:(d△V_(FN))/(dt)vs △V_(FN)曲线可以用几段直线描述.采用线性化技术,可以方便地识别多陷阱现象.并分别提取原生陷阱及新生陷阱参数.实验结果表明:在恒流隧道电子注入的初始阶段,F-N电压漂移量主要由新生界面陷阱的电子俘获过程所决定,紧接着是原生氧化层体陷阱的电子俘获,然后是新生氧化层体陷阱的电子俘获.

关键词：界面陷阱氧化层电压漂移

差值取样数对氧化层电流弛豫谱分辨率与灵敏度的影响

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电子学报 1993年第2期21卷 22-27页

作者：许铭真谭长华刘晓卫何燕冬段小蓉王阳元北京大学微电子学研究所北京100871

本文讨论了差值取样数对氧化层电流弛豫谱(OCRS)分辨率与灵敏度的影响,给出了差值取样数七在实际分析过程中的最佳选择原则,研究了用计算机技术改善氧化层电流弛豫谱的灵敏度问题。

关键词：差值取样分辨率灵敏度 MOS器件