用比例差分方法从NMOSFET输出特性提取界面陷阱密度(英文)
Extracting the Interface Trap Density Using the Proportional Difference Method from the Output Characteristic of NMOSFET作者机构：北京大学微电子研究院北京100871
出 版 物：《北京大学学报（自然科学版）》 (Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis)
年 卷 期：2004年第40卷第3期
页 面：417-423页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家重点基金研究 (G2 0 0 0 0 3 650 3 ) 教育部博士点基金 (970 0 0 113 )资助项目
摘 要：在均匀的高电场应力下 ,MOSFET器件的阈值电压和输出特性的比例差分峰值会有所改变。这是由于在应力过程中产生的缺陷引起的。在本文中 ,用比例差分方法从NMOSFET器件的输出特性提取了阈值电压、输出特性的比例差分的峰值和界面陷阱密度。得到了阈值电压和比例差分峰值 ,界面陷阱密度和应力时间的关系。此种方法也适用于PMOSFET器件。这是一个简单而快捷的技术。
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