Ge在Ru(0001)表面上生长及其性质研究

作     者：胡昉 张寒洁 吕斌 陶永升 李海洋 鲍世宁 何丕模 王学森 Hu Fang;ZHANG Han-jie;Lü Bin;TAO Yong-sheng;Li Hai-Yang;BAO SHI-NING;HE PI-MO;X.S. Wang

作者机构：浙江大学物理系杭州310027 新加坡国立大学物理系新加坡119260 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2005年第54卷第3期

页      面：1330-1333页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0704[理学-天文学] 

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :10 2 740 72 ) 高等学校博士学科点专项科研基金 (批准号 :2 0 0 3 0 3 3 5 0 17)资助的课题 .~~ 

主　　题：结合能 单原子 表面 x射线光电子能谱(XPS) 衬底 相互作用 性质研究 生长模式 覆盖度 相对位移 

摘      要：报道Ge在Ru(0 0 0 1)表面上生长以及相互作用行为的扫描隧道显微镜 (STM)和x射线光电子能谱 (XPS)研究 .STM的实验结果表明Ge在Ru(0 0 0 1)表面的生长呈典型的Stranski_Krastanov生长模式 ,Ge的覆盖度小于单原子层时呈层状生长 ,而从第二层开始呈岛状生长 .XPS测量显示衬底Ru(0 0 0 1)与Ge的相互作用很弱 .Ru(0 0 0 1)表面的Ru 3d5 2 和Ru 3d3 2 芯态结合能分别处于 2 79 8和 2 84 0eV .随着Ge的生长 ,到Ge层的厚度为 2 0个单原子层 ,衬底Ru 3d芯态结合能减小了约 0 2eV ,而Ge 3d芯态结合能从Ge低覆盖度时的 2 8 9eV增加到了 2 9 0eV ,其相对位移约为 0 1eV .