清洗工艺对成功制作高K/金属栅结构的作用
Cleaning's Role in High-k/Metal Gate Success作者机构：Naim Moumen （IBM assignee） Sematech
出 版 物：《集成电路应用》 (Application of IC)
年 卷 期：2006年第23卷第8期
页 面：32-35页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：清洗工艺 金属栅 结构 制作 CMOS器件 掩膜技术 湿法刻蚀 成膜技术 电学参数 工程师
摘 要：对于使用双金属栅结构的 CMOS器件而言,是否能够成功的将这项工艺进行集成整合取决于工程师们对硬掩膜技术以及化学湿法刻蚀试剂的正确选择。本文比较了采用不同清洗工艺的多种成膜技术,以及基于上述技术得到的有效栅氧厚度(EOT)和其它相关电学参数的表现。
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