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cmos器件SEL效应电路级防护设计及试验验证

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原子能科学技术 2014年第4期48卷 721-726页

作者：陈睿冯颖余永涛上官士鹏封国强朱翔马英起韩建伟中国科学院国家空间科学中心北京100190 中国科学院大学北京100049 北京电子工程总体研究所北京100854

利用脉冲激光单粒子效应试验装置,开展了两种cmos SRAM器件IDT71V416S和K6R4016V1D单粒子闭锁(SEL)效应的研究。基于cmos电路结构SEL效应的机理及触发条件,分析两种cmos器件的闩锁响应特性,设计了两种cmos器件SEL效应防护电路,并探讨了... 详细信息

利用脉冲激光单粒子效应试验装置,开展了两种cmos SRAM器件IDT71V416S和K6R4016V1D单粒子闭锁(SEL)效应的研究。基于cmos电路结构SEL效应的机理及触发条件,分析两种cmos器件的闩锁响应特性,设计了两种cmos器件SEL效应防护电路,并探讨了两种防护电路的适用范围及限流电阻、恒流源电流的选取。利用脉冲激光和重离子辐照试验验证了两种防护方法的防护效果。结果表明,当器件工作电流和闩锁维持电流相差不大时,加入限流电阻虽能降低闩锁电流幅值,但电路不能自动退出闩锁状态。恒流源限流防护电路不但降低了SEL电流的幅值,而且自动退出闩锁状态,能更有效地减缓cmos器件电路级闩锁效应。

关键词： cmos器件单粒子闭锁效应防护电路脉冲激光

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cmos器件X射线与γ射线辐照效应比较

核技术 2001年第10期24卷 807-811页

作者：何承发巴维真陈朝阳王倩中国科学院新疆物理研究所乌鲁木齐830011 新疆大学物理系

介绍了低能X射线和γ射线的辐照剂量及器件阈电压漂移的测试方法。讨论了不同偏置条件和辐照方向对器件效应的影响。结果表明 ,对镀金Kovar合金封装的器件 ,在背向辐照的最劣辐照偏置下 ,X射线产生的阈电压漂移是60 Coγ射线的 13.4倍。

关键词： cmos器件 X射线 γ射线剂量增强辐照效应辐照剂量

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cmos器件的脉冲γ总剂量效应初探

核电子学与探测技术 2004年第6期24卷 745-748页

作者：罗尹虹龚建成关颖石小峰郭红霞西北核技术研究所

利用"强光一号"加速器对部分cmos器件开展了脉冲总剂量时间关联的辐射效应实验,研究了脉冲辐照后阈值电压漂移与时间的关联响应,以及辐照栅偏压对初始阈值电压漂移的影响,并比较了在给定实验条件下NMOSFET和PMOSFET脉冲总剂量效应与60C... 详细信息

利用"强光一号"加速器对部分cmos器件开展了脉冲总剂量时间关联的辐射效应实验,研究了脉冲辐照后阈值电压漂移与时间的关联响应,以及辐照栅偏压对初始阈值电压漂移的影响,并比较了在给定实验条件下NMOSFET和PMOSFET脉冲总剂量效应与60Coγ稳态总剂量效应之间的损伤差异,运用复合模型、氧化物陷阱电荷的隧道退火以及界面态建立的两阶段模型对实验结果进行了分析。

关键词： cmos器件阈值电压漂移总剂量效应 NMOSFET PMOSFET 陷阱电荷界面态 ^60Co 损伤辐照

cmos器件p、γ、β辐照损伤等效剂量分析计算

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核科学与工程 2000年第2期20卷 97-105页

作者：郁金南杨文郁刚陈伊轫许淑艳中国原子能科学研究院

建立了cmos电子元器件中质子、电子和光子辐照损伤 (电子空穴对和离位原子浓度 )计算模型。利用微机化的电子光子簇射过程模拟程序EGS4和TRIM程序分别计算了电子 ( β)、光子 (γ)和质子 ( p)辐照在cmos器件各层中产生的电子空穴... 详细信息

建立了cmos电子元器件中质子、电子和光子辐照损伤 (电子空穴对和离位原子浓度 )计算模型。利用微机化的电子光子簇射过程模拟程序EGS4和TRIM程序分别计算了电子 ( β)、光子 (γ)和质子 ( p)辐照在cmos器件各层中产生的电子空穴对和离位原子浓度。计算结果表明 ,在cmos器件桥结绝缘层中 ,电子产生的电子空穴对和离位原子浓度最高 ,光子次之 ,质子最低 ,这表明电子辐照损伤最高 ,光子次之 ,质子最小。

关键词： cmos器件辐照损伤等效剂量航天器计算程序

工艺导致的机械应力对深亚微米cmos器件的影响

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物理学报 2008年第7期57卷 4497-4507页

作者：李睿王庆东中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海宏力半导体制造有限公司上海201203

随着cmos器件的不断微缩,硅有源区面积的缩小,工艺导致的机械应力对器件的影响越来越显著,许多工艺步骤会造成有源区应力的累积.应力不仅导致器件性能对版图产生依赖性,而且带来各种可靠性问题,影响芯片的长期使用寿命.在很多情况下,应... 详细信息

随着cmos器件的不断微缩,硅有源区面积的缩小,工艺导致的机械应力对器件的影响越来越显著,许多工艺步骤会造成有源区应力的累积.应力不仅导致器件性能对版图产生依赖性,而且带来各种可靠性问题,影响芯片的长期使用寿命.在很多情况下,应力相关的问题直接影响芯片制造的良率.在总结各种应力来源的基础上,回顾了到目前为止人们所观察或理解的应力对cmos器件性能和可靠性的各种影响,提出了分析和解决工业生产中应力相关问题的基本思路.

关键词：机械应力 cmos器件深亚微米工艺步骤

星用典型cmos器件54HC04^(60)Co源辐射效应研究

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原子能科学技术 2000年第4期34卷 334-338页

作者：何宝平张正选郭红霞姜景和西北核技术研究所陕西西安710024

给出了加固和非加固 5 4HC0 4电路在不同辐射偏置下的低剂量率辐射实验结果 ,探讨了电流转移曲线、辐射感生漏电流、阈值电压、转换电压随辐射剂量的变化关系。

关键词：辐射效应阈值电压 cmos器件钴60辐射源

双层膜结构测量cmos器件X射线相对剂量增强因子及其理论模拟

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核电子学与探测技术 2002年第1期22卷 47-51页

作者：郭红霞陈雨生张义门周辉吴国荣林东升韩福斌关颖龚建成西北核技术研究所西安电子科技大学微电子所陕西西安710000

首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法。用该方法测量了 cmos器件 X射线的相对剂量增强因子 RDEF(Relative Dose Enhancement Factor)。同时用 Monte- Carlo粒子输运方法计算了实验条件下 Al/ Au/ Si、Au/ Al/ Si结构界面过渡区剂... 详细信息

首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法。用该方法测量了 cmos器件 X射线的相对剂量增强因子 RDEF(Relative Dose Enhancement Factor)。同时用 Monte- Carlo粒子输运方法计算了实验条件下 Al/ Au/ Si、Au/ Al/ Si结构界面过渡区剂量分布 ,理论模拟与实验验证 ,符合较好。

关键词：双层膜结构剂量增强粒子输运模拟相对增强因子相对测量法平衡剂量 cmos器件 X射线半导体器件辐射效应

基于虚拟仪器的cmos器件脉冲总剂量效应在线测试系统研制

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核电子学与探测技术 2006年第6期26卷 942-946页

作者：罗尹虹龚建成姚志斌郭红霞张凤祁西北核技术研究所陕西西安710024

从效应研究的角度出发,利用Labview软件,自行研制了基于PCI插卡式虚拟仪器的cmos器件脉冲总剂量效应在线测试系统,详细介绍了其硬件结构和软件设计思想,利用该系统在“强光一号”辐射模拟装置上开展了试验验证,表明其原理和技术途径是... 详细信息

从效应研究的角度出发,利用Labview软件,自行研制了基于PCI插卡式虚拟仪器的cmos器件脉冲总剂量效应在线测试系统,详细介绍了其硬件结构和软件设计思想,利用该系统在“强光一号”辐射模拟装置上开展了试验验证,表明其原理和技术途径是可行的,基本掌握了开展cmos器件脉冲总剂量损伤以及时间关联退火响应研究的关键测试技术。

关键词： cmos器件脉冲总剂量测试系统Labview

cmos器件电离辐射损伤等效研究中损伤敏感性的确定

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核技术 1991年第12期14卷 750-755页

作者：何承发周光文魏锡智中国科学院新疆物理研究所

损伤敏感性是cmos器件的电离辐射损伤等效研究中的一个特征参量,这个参量是辐照总剂量、剂量率、辐射类型、能量、管子类型、偏置条件、电源电压等的复杂函数。本文主要研究总剂量和剂量率响应特性。实验证实,cmos器件的损伤敏感性与电... 详细信息

损伤敏感性是cmos器件的电离辐射损伤等效研究中的一个特征参量,这个参量是辐照总剂量、剂量率、辐射类型、能量、管子类型、偏置条件、电源电压等的复杂函数。本文主要研究总剂量和剂量率响应特性。实验证实,cmos器件的损伤敏感性与电离辐照的总剂量基本无关,对剂量率的依赖也很弱。

关键词： cmos器件损伤等效损伤敏感性